半羟化的碳化硅片的第一性原理研究 (2011年)

通过密度泛函理论，研究了碳化硅片被羟化时的电磁特性。所研究的碳化硅片为六角蜂窝状结构，碳硅原子之比为1∶1，相间排列。由于碳化硅片中含碳、硅两种元素；为此，分别考虑了全部的碳原子以及全部的硅原子分别被羟化的情形，结果发现了丰富的电磁特性。由于羟基对羟化原子的吸引作用，碳硅原子出现分层，对应于碳、硅原子被羟化时的碳硅层间距分别为0.671、0.390，碳硅键长度也分别伸长为1.904、1.861，而对应的键角C-O-H与Si-O-H分别为107.8°、114.1°，表现了新奇的几何结构特点。由形成能计算发现