没有合适的资源？快使用搜索试试~
我知道了~
文库首页
开发技术
其它
锂氮共掺杂法制得的稳定p型ZnO薄膜
锂氮共掺杂法制得的稳定p型ZnO薄膜
研究论文
0 下载量
75 浏览量
2021-04-12
23:18:23
上传
评论
收藏
901KB
PDF
举报
温馨提示
立即下载
锂氮共掺杂法制得的稳定p型ZnO薄膜
资源推荐
资源评论
p型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展
浏览：168
ZnO作为第三代半导体功能材料，一直受到国内外的广泛关注。高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展，讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难，并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。
In掺杂ZnO薄膜的制备及其特性研究
浏览：90
采用射频反应溅射技术在硅(100)衬底上制备了未掺杂和掺In的ZnO薄膜。掠角X射线衍射测试表明,实验中制备的掺In样品为ZnO薄膜。用X射线衍射仪、原子力显微镜和荧光分光光度计分别对两样品的结构、表面形貌和光致发光特性进行了表征,分析了In掺杂对ZnO薄膜的结构和发光特性的影响。与未掺杂ZnO薄膜相比,掺In ZnO薄膜具有高度的C轴择优取向,同时样品的晶格失配较小,与标准ZnO粉末样品之间的晶
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光
浏览：181
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光，叶志镇，曾昱嘉，本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型�
ZnO薄膜p型掺杂及同质p-n结的室温电致发光 (2007年)
浏览：6
本文系统地报道ZnO薄膜p型掺杂技术，其中包括N掺杂技术、共掺技术、Li掺杂技术、非故意掺杂技术、大尺寸失配元素掺杂技术等；在p型掺杂的基础上，实现ZnO同质p-n结室温电注入发光。
Ag掺杂ZnO薄膜结构和光学特性研究
浏览：83
Ag掺杂ZnO薄膜结构和光学特性研究
磁控溅射法制备氮掺杂的氧化锌薄膜 (2009年)
浏览：26
目的比较氮掺杂的氧化锌薄膜与纯氧化锌薄膜的发光特性。方法用射频磁控溅射法，在玻璃衬底上通过控制氩气，氧气，氮气的流量，制备了纯氧化锌薄膜和氮掺杂的氧化锌薄膜样品。结果通过比较纯氧化锌薄膜样品和氮掺杂的...
ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响
浏览：29
ZnO薄膜材料表面的Li-N共掺杂构型及其对p型电导的影响，司杭，何海燕，本文利用第一性原理的方法，系统地研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，同时用单个Li和N原子分别去替代Zn和O原子(记为Li
溶胶-凝胶法制备铝和镓掺杂氧化锌薄膜的热稳定性对比研究
浏览：148
溶胶-凝胶法制备铝和镓掺杂氧化锌薄膜的热稳定性对比研究，侯波，许爱燕，为了研究AZO和GZO薄膜在空气中的热稳定性能，本文采用溶胶-凝胶的方法在普通玻璃基片上镀制了掺杂浓度均为1 at.%的AZO和GZO薄膜。...
用 RF磁控溅射法制备锂氮共掺p型氧化锌 (2010年)
浏览：179
结果表明,当以n(氩气):n(氧气) =60的混合气体为溅射气体时,可得到稳定的p型锂氮共掺氧化锌薄膜。 X射线衍射谱表明,样品具有高度的c轴择优取向。由变温光致发光分析可知,该薄膜的 p型导电来源于 LiZn受主缺陷,其光学...
Eu掺杂ZnO薄膜的结构，光学和磁性
浏览：69
通过射频磁控溅射在硅（1 0 0）衬底上沉积多晶Zn（1-x）Eu（x）O（x = 0，0.02，0.05）薄膜。 研究了薄膜的结构，光学和磁性。 X射线衍射和光致发光光谱的结果都表明Eu（3+）离子成功替代了ZnO晶格中的Zn（2+）离子。 磁场和磁化曲线的温度依赖性表明，Zn（0.95）Eu（0.05）O薄膜在室温下是铁磁性的。 通过X射线衍射，拉曼光谱和零场冷测量，在Eu掺杂的薄膜中未发现杂
Al-H共掺杂ZnO薄膜的形貌及光致发光性能研究
浏览：187
Al-H共掺杂ZnO薄膜的形貌及光致发光性能研究
Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能的研究
浏览：8
Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能的研究，丁萍，潘新花，采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积（PLD）法，在n-Si (001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜，其电阻率为44.18 Ω cm，空穴浓度为3.78×
In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究 (2005年)
浏览：123
通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜，表征了薄膜的结构和表面形貌，研究了In掺杂量对ZnO薄膜的结构特性的影响。掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜，θ-2θX射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向；原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其（002）衍射峰强度有关，薄膜具有较低的电阻率（10-1～100Ω·cm）。当In掺杂量为3%时，样品
射频磁溅射沉积Eu掺杂ZnO薄膜中的铁磁性
浏览：126
本文报道了通过射频磁溅射成功将（掺杂的ZnO薄膜成功沉积在硅（100）上。 X射线衍射图表明，Eu替代了晶格中的Zn。 通过使用超导量子干涉装置在10 K和室温下获得铁磁环。 在零场冷却曲线和场冷却曲线中均未发现不连续的变化。 Eu掺杂的ZnO中观察到的铁磁性可归因于单个磁相。 通过在溅射气体中引入5％的氧气或在O（2）中进行后退火制备的Eu掺杂ZnO的饱和磁化强度显着降低，这表明缺陷在Eu掺杂Z
Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究
浏览：169
Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究，薛雅，叶志镇，采用脉冲激光沉积方法制备出晶体质量较好的Na掺杂p型ZnMgO薄膜，薄膜沿c轴方向柱状生长，p型导电信号可靠。在低阻Ga掺杂(0001)取向...
表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响
浏览：157
表面效应对Li 掺杂的ZnO薄膜材料P型电导的影响，司杭，何海燕，我们利用第一性原理的方法研究了在ZnO非极性表面和极性表面的不同原子层中，分别用Li原子去替位Zn原子（记为LiZn）后的相对稳定性和�
论文研究 - 气敏应用金属有机化学气相沉积铬掺杂氧化锌薄膜的合成与表征
浏览：32
掺杂铬（Cr）的氧化锌ZnO薄膜通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在420°C的温度下以不同的掺杂剂浓度沉积在玻璃基板上。 研究了铬浓度对薄膜的形态，结构，光学，电学和气敏性能的影响。 扫描电子显微镜结果表明...
退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响 (2008年)
浏览：145
实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550～600℃,退火时间控制在5～10 min内,可以获得较稳定的p型 ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的 ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×10 18 cm - 3 ,迁移率为...
音视频-图像处理-P型ZnO薄膜的制备及其结构光学和电学性质的研究.pdf
浏览：99
音视频-图像处理-P型ZnO薄膜的制备及其结构光学和电学性质的研究.pdf
银纳米簇掺杂ZnO薄膜的紫外光电特性
浏览：200
我们报道了在熔融石英衬底上掺有银纳米团簇的ZnO薄膜的紫外激光诱导的光伏效应。 在266 nm脉冲激光的照射下，在25 ps的持续时间内，观察到半峰全宽的开路光电压约为1 ns。 当用308 nm激光脉冲照射薄膜20 ns时，会出现一个类似于29 mV的瞬态光伏信号，其半峰全宽约为20ns。 基于微观结构特征，讨论了观察到的现象的可能机理。
C掺杂浓度对ZnO薄膜电学和结构的影响。 (2014年)
浏览：4
采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上成功制备了不同C掺杂浓度的ZnO：C薄膜，借助于X射线衍射仪(XRD)、霍尔测试(Hall)、X射线光电子谱(XPS)和拉曼散射光谱(Raman)等测试手段系统研究了ZnO薄膜的结构、电学以及拉曼特性并分析了C在 ZnO薄膜中存在形式。结果表明，所有薄膜都呈纤锌矿结构并具有高度的C轴择优取向。随着C掺杂浓度的增加，薄膜的n型导电性能不断增强，其主要原因是 ZnO薄
自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性
浏览：81
采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜，对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明，二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征，自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光，N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明
溅射气压对Li-W共掺杂ZnO薄膜性能的影响
浏览：127
溅射气压对Li-W共掺杂ZnO薄膜性能的影响
Ag掺杂ZnO薄膜中的横向红外光伏效应
浏览：32
在掺杂Ag的ZnO薄膜中已经观察到瞬时的横向光伏效应。 在1064 nm脉冲激光的不均匀照射下，光伏响应显示出对膜表面光斑位置的高度敏感性。 观察到最高的光伏响应度为27.1 mV mJ（-1），下降时间约为1.5 ns，半峰全宽（FWHM）约为4 ns。 光伏位置灵敏度可以达到约3.8 mV mJ（-1）mm（-1）。 本文证明了Ag掺杂ZnO膜在位置敏感红外检测中的潜力
论文研究 - 单固体前驱体制备金属有机化学气相沉积铝掺杂ZnO薄膜及其性能
浏览：104
采用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD），使用制备的乙酸锌二水合物（Zn（CH3COO）2⋅2H2O）的混合物将氧化锌（ZnO）和铝掺杂的ZnO（AZO）薄膜沉积在钠钙玻璃上。 ZAD）和乙酰丙酮铝（Al（C5H702）3; AAA）的前体，...
Al-N 共掺杂p 型ZnO 薄膜制备及电学性能的研究 (2012年)
浏览：6
实验结果表明,Al-N 共掺杂ZnO 薄膜在578 益退火8 min 表现出较稳定的p 型导电,其载流子数高达1伊1018 ~6*10 18 个・cm-3 ,对应的电阻率为1 -9 ・cm,迁移率为1 ~ 2 cm2 ・V-1 ・s-1 。与单掺N相比,
论文研究-SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管 .pdf
浏览：96
SiO2/Si衬底上制备增强型ZnO薄膜晶体管，张景文，侯洵，在NH3和O2的混合气氛下，采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiO2/p-Si衬底上制备氮掺杂ZnO薄膜， XRD分析表明ZnO薄膜掺入微量的氮后仍有很高�
B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究 (2010年)
浏览：17
利用射频磁控溅射技术用N2和O2作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的p型ZnO薄膜．Hall测量结果表明，室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3 Ωcm，1．2×1017 cm-3，11 cm2/Vs．制备了ZnO基同质p-n结，研究了...
直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现
浏览：22
在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO：（2 wt％Al2O3）的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明，所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要（002...
评论
收藏
内容反馈
立即下载
资源评论
资源反馈
评论星级较低，若资源使用遇到问题可联系上传者，3个工作日内问题未解决可申请退款~
联系上传者
评论
weixin_38732519
粉丝: 2
资源:
952
私信
上传资源 快速赚钱
我的内容管理
展开
我的资源
快来上传第一个资源
我的收益
登录查看自己的收益
我的积分
登录查看自己的积分
我的C币
登录后查看C币余额
我的收藏
我的下载
下载帮助
前往需求广场，查看用户热搜
最新资源
mysql安装配置教程-model-for-network-ids-m开发笔记
linux常用命令大全mage-processing-m开发笔记
c语言文件读写操作代码c-m开发demo
sbt1.9.9版本的资源
太原理工大学javawebsic-m开发笔记
数据库课程设计tion-model-for-n开发笔记
Win64OpenSSL-3-3-1
c语言文件读写操作代码rocessing-m开发笔记
Linux离线安装之libpcap记录文章中的所有安装包
linux常用命令大全tion-model-for-netw开发demo
资源上传下载、课程学习等过程中有任何疑问或建议，欢迎提出宝贵意见哦~我们会及时处理！
点击此处反馈
安全验证
文档复制为VIP权益，开通VIP直接复制
信息提交成功
