B-N共掺p型ZnO薄膜的制备及性质研究 (2010年)

利用射频磁控溅射技术用N2和O2作为溅射气体在石英沉底上制备了B-N共掺的p型ZnO薄膜．Hall测量结果表明，室温电阻率、载流子浓度、迁移率分别为2．3 Ωcm，1．2×1017 cm-3，11 cm2/Vs．制备了ZnO基同质p-n结，研究了它们的I-V特性．探讨了B-N 共掺的p型ZnO薄膜低温光致发光的微观机制．同时阐明了B-N 共掺的p型ZnO薄膜的导电机制．