N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究 (2013年)

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜，以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现：在590 ℃退火20 min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜，其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为（1.01×1018） cm-3、3.40 cm2・V-1・s-1、1.81 Ω・cm。结合XPS分析认为ZnO∶In