0.5um

cadence电路设计工艺库-CSMC0.5um-st02 cadence电路设计工艺库-CSMC0.5um-st02

评级：0 浏览量：547 收藏量：2 资源大小：1.67MB 上传时间：2023-05-21

CSMC_0.5um_PDK.zip csmc0.5u工艺库 CSMC 0.5um MM DPTM PDK – st02

评级：5 浏览量：1958 收藏量：7 资源大小：6.95MB 上传时间：2020-04-21

hspice 0.5um 工艺库 模拟电路 hspice CSMC 0.5um 工艺库 用于模拟电路仿真（运算放大器等等）

评级：0 浏览量：660 收藏量：2 资源大小：35KB 上传时间：2018-04-07

cmos 0.5um 工艺库 sp文件 * PROCESS : 0.5um CMOS * MODEL : BSIM3V3 * DOC. NO.: * VERSION : 1.0 * DATE : Sept. 9, 2003 * ************************************************************** *.LIB tt *******************************...

评级：1 浏览量：752 收藏量：4 资源大小：36KB 上传时间：2013-06-08

0.5um BCD 工艺流程及截面示意图（process flow & cross section） 0.5um BCD 工艺流程及截面示意图（process flow & cross section），供对BCD器件工艺有兴趣的人阅读，或者刚入门半导体制造行业的同行参考

评级：0 浏览量：565 收藏量：5 资源大小：984KB 上传时间：2023-07-11

基于0.5um工艺的HSPICE软件的带隙基准电路设计 本报告中包含了带隙基准电路的分析,HSPICE网表的编写，电路的仿真结果

评级：0 浏览量：700 收藏量：1 资源大小：601KB 上传时间：2022-04-26

0.5 μm CMOS带隙基准电路设计 依据带隙基准原理，采用华润上华（CSMC）0.5 μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，设计了一种用于总线低电压差分信号（Bus Low Voltage Differential Signal，简称BLVDS）的总线收发器带隙基准电路。该电路有较低...

评级：5 浏览量：1166 收藏量：1 资源大小：702KB 上传时间：2021-02-01

CSMC0.5.zip CSMC0.5的工艺库，提供给大家学习，cadence5141版本可以用，附安装教程，欢迎大家交流学习

评级：5 浏览量：1067 收藏量：3 资源大小：5.67MB 上传时间：2020-01-03

Cadence中添加工艺库文件步骤.pdf Cadence 中添加工艺库文件步骤 Cadence 是一款功能强大的电子设计自动化（EDA）软件，对于集成电路设计、验证和制造等领域具有重要意义。在 Cadence 中添加工艺库文件步骤是指在设计和验证过程中将工艺库文件导入 ...

评级：5 浏览量：1871 收藏量：4 资源大小：250KB 上传时间：2022-06-20

Cadence virtuoso smic 180工艺库 标准库 OA库 BCD库 直接使用 含PDK文件 IC617IC618 Cadence virtuoso smic 180工艺库 标准库 OA库 BCD库 直接使用 含PDK文件 IC617/IC618工艺文件 直接导入可使用，用于学习的标准单库

评级：5 浏览量：1002 收藏量：4 资源大小：210.74MB 上传时间：2024-02-03

Hspice工艺库文件 Hspice 0.18um CMOS

评级：5 浏览量：1265 收藏量：8 资源大小：4KB 上传时间：2016-04-15

UM-Hydra3D-UserManual-Rev0.5.pdf 深度相机hydra3d探测器使用说明

评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：5.8MB 上传时间：2023-03-06

PyPI 官网下载 | um7py-0.5.18.tar.gz 资源来自pypi官网。 资源全名：um7py-0.5.18.tar.gz

评级：0 浏览量：27 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2022-01-30

模拟技术中的0.5umCMOS新型电流反馈放大器的分析与设计 使用BSM3 0.5um CMOS工艺参数,PSPICE模拟结果获得了与增益关系不大的带宽,电路参数为:84.2dB增益,447MHz的单位增益带宽,62度的相位裕度,138dB共模抑制比以及在1V电源电压仅产生0.7mW的功耗。 　1 引 言 　随 着 ...

评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：208KB 上传时间：2020-11-09

对新版GMP要求的理解 加强对新版GMP要求的理解，使我们在操作过程中更有方向。

评级：0 浏览量：65 收藏量：1 资源大小：1.67MB 上传时间：2014-09-03

UM2122 友顺UTC 电子元器件芯片.pdf * 差分输入电压：VID ±0.5 V * 输入电压：VIC ±10 V（注 2） * 功率耗散：PD 300 mW * 工作温度范围：TOPR -40 ~ +85°C * 存储温度范围：TSTG -40 ~ +150°C UM2122 的应用场景包括： * 数字音频设备，如便携式...

评级：0 浏览量：7 收藏量：0 资源大小：337KB 上传时间：2023-06-02

N+和P+区的深度对载流子密度的影响 考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况流子密度的变化。掺杂区域默认为均匀掺杂，浓度为5×1018cm-3。器件结构参数如图1所示。模拟结果如图1所示。 　图1 N+区的深度对载流子密度的影响 　可以看出，载流子...

评级：0 浏览量：96 收藏量：0 资源大小：64KB 上传时间：2021-01-19

显示/光电技术中的N+和P+区的深度对载流子密度的影响 考虑N+区深度分别为0.5um和1.2um两种情况下载流子密度的变化。掺杂区域默认为均匀掺杂，浓度为5×1018cm-3。器件结构参数如图1所示。模拟结果如图1所示。 　图1 N+区的深度对载流子密度的影响 　可以看出，...

评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：55KB 上传时间：2020-11-13

应用于wsn的0.5v低噪声放大器设计 基于SMC0.13 um RF CMOS工艺，采用 Cadence仿真软件对电路进行了设计、前仿真、版图设计和后仿真，仿真结果表明，工作电源电压为0.5V，工作电流为4mA，工作中心频率为244GHz，噪声系数为0.66dB，增益为179dB，输入1...

评级：0 浏览量：109 收藏量：0 资源大小：9.5MB 上传时间：2021-07-07

hspice仿真用的tsmc0.18um和0.35um的lib 找了很久，很好用的hspice仿真用的tsmc0.18um和0.35um的lib

评级：3 浏览量：720 收藏量：5 资源大小：92KB 上传时间：2014-04-17

遥感实习报告(波谱曲线).pdf 植被的反射波谱曲线主要分三段：可见光波段 0.4-0.76um 有一个小的反射峰，位置在 0.5um 绿处两侧蓝和红有两个吸收带，这一特征是由于叶绿素的影响。叶绿素对蓝光和红光的吸收作用强，对绿光反射作用强。近红外波段...

评级：0 浏览量：50 收藏量：1 资源大小：1.32MB 上传时间：2023-04-23

在线粒子监测系统用户需求URS.pdf - **设备概述**：系统用于生物制剂生产线，实时监测0.5um和5.0um粒子及浮游菌，确保生产安全、有效和可控。 - **总体要求**：设备应符合医药行业法规，设计安全、稳定，易于操作和维护，所有关键区域组件材质为316...

评级：0 浏览量：18 收藏量：0 资源大小：765KB 上传时间：2023-05-20

集成电路基础工艺和版图设计测试试卷.pdf - "Minimum DIFFUSION width for interconnect 0.5um"：表示用于互连的DIFFUSION层的最小宽度为0.5um，这是对连线宽度的工艺限制。 - "Minimum N_WELL to P+ DIFFUSION spacing 1.0um"：意味着N_WELL层到P+ ...

评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：27KB 上传时间：2021-10-14

matlab提取文件要素代码-pEM:进行正常扩散且扩散状态之间没有过渡的单个粒子轨道的系统级扩散分析... um，案例2的间隔为0.5 um。 pEM需要分析的蛋白质轨迹的格式是一个细胞阵列：X {1}，X {2}，…，X {M}，其中M是粒子轨道的总数。 在每个像元内，X {m} = [xpositions ypositions]，其中位置由列向量给出。 位置应为um...

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：3.63MB 上传时间：2021-05-21

光小目位脊形光波导基模调制器 在正向注入的情况下（即P+区相对于N+区接正偏压...假设P＋区和N＋区的掺杂浓度为5×1018cm-3，正向偏压为0.9V，掺杂区近似被认为均匀分布且深度为0.5um；N+区偏移脊区2pm；我们考虑沿AA和BB线分布的电子浓度（空穴浓度

评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：179KB 上传时间：2021-01-19

沉降法粒度测试(以BT-1500为例)的基本-中国化.pdf 确定测试下限时，通常参考已知良好测试的样品，对于超细粉，测试下限可设定为0.5um以下，而选择特定的测试方式（如重力+1500或750组合）时，测试下限相应设定为1um或2um左右。 综上所述，沉降法粒度测试是一种复杂...

评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：10KB 上传时间：2021-10-31

底部填充材料Underfill介绍.pdf 2. 填料尺寸：0.5um avg, 2um max。 3. 窄缝宽度：《17um。 4. 可控自动倒角性能。 填料的粒径小、悬浮性好、粒径分布均匀、分散性好、纯度高、球形、表面处理等特性对Underfill的性能有重要影响。

评级：5 浏览量：141 收藏量：0 资源大小：2.63MB 上传时间：2022-05-30

显示/光电技术中的光小目位脊形光波导基模调制器 在正向注入的情况下（即P+区相对于N+区接正偏压...假设P＋区和N＋区的掺杂浓度为5×1018cm-3，正向偏压为0.9V，掺杂区近似被认为均匀分布且深度为0.5um；N+区偏移脊区2pm；我们考虑沿AA和BB线分布的电子浓度（空穴浓度

评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：134KB 上传时间：2020-11-13

数字电子技术：第六章 脉冲波形的产生和整形.ppt 脉冲宽度是脉冲幅度达到0.5Um时，前后沿之间的时间间隔；脉冲周期是周期性脉冲序列中两个相邻脉冲之间的时间间隔；上升时间和下降时间分别是从0.1Um上升到0.9Um以及从0.9Um下降到0.1Um所需的时间；占空比是脉冲宽度...

评级：0 浏览量：29 收藏量：0 资源大小：997KB 上传时间：2021-09-21

基于霍耳效应的电机控制芯片设计 摘要：本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法，并以0.5um, 双层金属，65V高压CMOS工艺实现，电路实现了包括磁滞，防相位锁死与自动重启动等功能，并注意了功率输出管的电压钳位，以及减少尖峰电流的...

评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：402KB 上传时间：2021-01-20

将铝线烧断到底 铝的相关常量：比重 : 2.7g/cm3电阻率 : 2.7uO.cm导电率 : 61.8% (20oC)比热 : 0.211 cal/oC.g融点 : 660oC溶解潜热: 93 cal/g热传导率:0.487 cal/oC.cm.s计算：V(体积)=长*宽*高=100um*0.5um*0.25um=12.5um3G(质量)...

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：47KB 上传时间：2020-12-09

脉冲产生合理使用电路以及定时合理使用电路.ppt 脉冲宽度（tw），衡量脉冲从上升到下降0.5Um所需的时间；上升时间（tr）和下降时间（tf），分别表示脉冲前沿从0.1Um升至0.9Um和从0.9Um降至0.1Um所需的时间；脉冲周期（T）是连续重复脉冲之间的时间间隔，其倒数为...

评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：616KB 上传时间：2021-10-10

数据中心数据中心建设项目总体设计思想.docx 在静态条件下测试，N0.5 um的尘粒数。 2. 防水设计 防水设计是数据中心建设的重要部分。水害不仅会破坏绝缘，当电缆受到浸泡后，特别是传送数据、地址信号电缆受潮湿后，使计算机设备出现运算错误不能正常工作，...

评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：25KB 上传时间：2022-12-18

工业电子中的基于霍耳效应的电机控制芯片设计 摘要：本文论述了基于霍耳效应传感芯片的电路设计原理和方法，并以0.5um, 双层金属，65V高压CMOS工艺实现，电路实现了包括磁滞，防相位锁死与自动重启动等功能，并注意了功率输出管的电压钳位，以及减少尖峰电流的...

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：280KB 上传时间：2020-11-08

CMOS PWM D类音频功率放大器的过流保护电路.pdf 整个电路基于CSMC 0.5um CMOS工艺的BSIM3V3 Spice典型模型，采用Hspice对比较器的特性进行了仿真。 该电路的关键技术是失调比较器的设计。失调比较器是指将输入信号与参考信号进行比较，输出差异信号的电路。这种...

评级：5 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：572KB 上传时间：2022-01-01

智能大厦计算机机房设计建设方案.doc 机房内温度、湿度由空调设备及通风设备调空，对于机房内的尘埃要求，低于0.5um；对 于开机时机房内的噪音，在中央控制台处测量时应小于70dB。 8）机房内无线电干扰场强，在频率范围为0.15—1000MHz时不大于120dB。...

评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：733KB 上传时间：2023-05-27

净化工作台.pdf - 洁净等级：100级@≥0.5um - 菌落数：≤0.5个/皿·时 - 平均风速：0.3~0.6m/s - 噪音：≤62dB(A) - 振动半峰值：≤5um - 照度：≥300Lx - 电源：AC单相220V/50Hz - 最大功耗：0.8Kw **第二章 硬件** 2.1 ...

评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：855KB 上传时间：2021-09-26

2020洁净空调系统验证方案新参照.pdf 验证标准依据D级洁净区的标准，包括换气次数、压差、悬浮粒子（0.5um和5um粒径）浓度、沉降菌数量、表面微生物、温度和相对湿度等关键指标。 【验证流程】 1. **运行确认**：涉及文件准备、仪器校准、操作手册和...

评级：0 浏览量：18 收藏量：0 资源大小：148KB 上传时间：2021-11-12

实验二D触发器的设计和仿真.doc 实验中使用的工艺是上华 CSMC 0.5um CMOS 工艺，工作电压为 5V。 三、实验步骤： 1. 登陆到 UNIX 系统，并输入用户名和密码。 2. 启动 Cadence 软件，使用不同的启动命令可以启动不同的工具集。 3. 输入原理图，...

评级：0 浏览量：492 收藏量：2 资源大小：5.02MB 上传时间：2021-10-06

计算机网络安全课后题(答案).docx 机房的三度要求（温度（18 22度）、温度（40% 60%为宜）、洁净度（要求机房尘埃颗粒直径小于0.5Um））为使机房内的三度达到规定的要求，空调系统、去湿机和除尘器是必不可少的设备。 4.防静电措施：装修材料避免使用...

评级：0 浏览量：449 收藏量：1 资源大小：54KB 上传时间：2023-06-07

一种新型磁悬浮纳米定位工作台的研究 (2009年) 为满足半导体芯片光刻装置的高速和高精度定位...结果表明：采用所设计的鲁棒控制器可以使该纳米定位工作台具有稳定性好、响应速度快以及定位精度高等优点，能够使动子在0.5 um的悬浮行程范围内，具有15 nm的定位精度。

评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：328KB 上传时间：2021-05-14

两级CMOS运算放大器的设计及spectrum仿真.doc 在设计中，我们使用了CSMC 0.5um Double Poly Mix CMOS process model工艺参数，包括NMOS和PMOS的模型参数。 仿真结果 通过仿真，我们获得了两级运算放大器的电压增益、输出电压摆幅和输出阻抗等参数的仿真结果。...

评级：0 浏览量：110 收藏量：1 资源大小：1.14MB 上传时间：2021-10-06

磁条卡解码芯片中编码电路设计 基于CSMC0.5 um CMOS工艺库，应用仿真软件，对该模块电路性能进行了模拟仿真，结果表明完全达到了设计要求。接着，基于工艺库进行了版图设计。在版图设计过程中，对重要的模拟电路采用了对称性设计，利用“保护环”...

评级：0 浏览量：211 收藏量：0 资源大小：12.39MB 上传时间：2021-07-07

数据中心机房施工设计的规范要求内容.docx 4. 洁净度与照度：机房应保持国家B级的尘埃标准，即粒径≥0.5um的尘埃粒数≤18000粒/公斤。室内照度应≥300Lux，应急照明不低于50Lux，确保工作环境清晰。 5. 安全与承重：机房区域应保持正压，以防止外部污染物...

评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：253KB 上传时间：2021-09-21

反应火焰喷涂的TiC/Fe金属陶瓷复合涂层 (2004年) 以TiFe粉和碳的前驱体（石油沥青）为原料,通过碳化制备Ti-Fe-C系反应喷涂复合粉末,并通过普通火焰喷涂技术成功制备了TiC/Fe金属陶瓷复合...TiC颗粒大致呈球形,粒度一般在0.5um以下;相同条件下所获涂层的磨损体积大约是

评级：0 浏览量：33 收藏量：0 资源大小：2.7MB 上传时间：2021-05-10

OA系统使用说明.pptx - 尘埃控制严格，每升空气中0.5um的尘粒数不超过18000粒。 - 噪音标准要求在计算机停机条件下，机房中心位置噪音不超过65dB(A)。 - 接地电阻小于1欧姆，零地电位差小于1V。 综上所述，这个OA系统使用说明文档...

评级：0 浏览量：18 收藏量：0 资源大小：2.7MB 上传时间：2021-09-22

单晶硅太阳能电池制作工艺设计.doc 结深通常控制在0.3-0.5um之间，以优化电池的电特性。 5. **周边刻蚀**： 扩散过程中，硅片周边会形成扩散层，可能导致上下电极短路。因此，需要通过掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀技术去除这些区域的扩散层。 6. *...

评级：0 浏览量：24 收藏量：0 资源大小：1.21MB 上传时间：2021-10-06

 一种无片外电容LDO的稳定性分析 对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF，减小了制造成本。它的电源电压为3.5~6 V，输出电压为3.5 V。当在输入电源电压6 V时输出电流从100 ...

评级：0 浏览量：251 收藏量：1 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-01-30

G10激光PM2.5传感器例程 帮师兄写的G10激光PM2.5例程，自动识别帧头并解析。 Data is: 0 1c 0 1f 0 2e 0 3e 0 ...No.8: 0.5um: 1351; No.9: 1.0um: 266; No.10: 2.5um: 35; No.11: 5.0um: 18; No.12: 10 um: 11; /*********Data end*********/

评级：0 浏览量：144 收藏量：1 资源大小：5.29MB 上传时间：2017-03-29

薄孔壁厚和小孔径测量系统 (2004年) 利用电容差动测厚传感器测量孔壁系统由1个瞄准测孔传感器和2个差动测厚传感器及三通道测量电路组成,处理数据后直接显示孔径和孔间壁厚系统属非接触测量,无需修正测头及工件变形误差实验证明,测量精度为0.5um。

评级：0 浏览量：84 收藏量：1 资源大小：178KB 上传时间：2021-05-29