SIC论文

论文研究 - 碳化硅（SiC）纳米颗粒对PMMA / PC聚合物共混物的光谱性质和性能的影响 通过流延法合成了聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）/聚碳酸酯（PC）聚合物共混物掺杂的碳化硅（SiC）纳米粉膜。 对不含和具有低含量（≤0.8wt％）SiC的PMMA / PC共混物的结构，光学和电性能进行了研究。 从X射线光谱研究结构...

评级：0 浏览量：244 收藏量：0 资源大小：2.06MB 上传时间：2020-05-22

论文研究-一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案 .pdf 一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔(TSV)容错方案，王伟，董福弟，三维（3-Dimensional，3D）电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点而逐渐受到人们的重视和研究，而硅通孔（Through Silicon Vi

评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：442KB 上传时间：2019-08-16

三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块-论文 三菱电机【论文】针对广泛应用领域的SiC功率模块

评级：0 浏览量：105 收藏量：0 资源大小：2.03MB 上传时间：2021-05-22

SiC量子陆用于活体细胞成像 SiC量子陆用于活体细胞成像

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：1.16MB 上传时间：2021-02-26

三菱电机【论文】SiC MOSFET SPICE模型的对比研究-论文 三菱电机【论文】SiC MOSFET SPICE模型的对比研究

评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：728KB 上传时间：2021-05-25

SiC晶片加工技术现状与趋势 SiC晶片加工技术现状与趋势

评级：0 浏览量：59 收藏量：0 资源大小：1.24MB 上传时间：2021-03-07

SiC欧姆接触特性 (2011年) 通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30min)和(1000℃,N2,2min) .采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω?cm2和...

评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：1.07MB 上传时间：2021-05-26

论文研究-SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究，徐伟，刘雪绞，近年来大直径SiC单晶体的生长是国内外研究的重点，SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表。物理气相传输法（PVT）是生

评级：0 浏览量：200 收藏量：0 资源大小：285KB 上传时间：2019-08-21

SiC/SiC复合材料的制备及力学性能研究 (2007年) 采用低压化学气相渗透(LPCVI)工艺制备了具有不同热解碳界面层厚度的SiC/SiC复合材料，对热解碳沉积工艺以及复合材料的力学性能进行了研究．结果表明：沉积温度、系统总压、PN2/PC3H6均会使沉积热解碳的形貌发生改变...

评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：673KB 上传时间：2021-05-16

离子对离子注入4H-SiC空位磁矩的影响 通过实验测量和第一性原理计算来分析离子注入的碳化硅样品中的结构性质和空位的自旋... 这些结果将有助于理解离子注入的4H-SiC中空位的磁矩，并为在量子技术和自旋电子学中的应用提供诱导SiC中高自旋态空位的可能程序。

评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：1.85MB 上传时间：2021-04-07

论文研究-SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析 .pdf SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构分析，陈治明，李连碧，用SEM和TEM对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC衬底上外延生长的SiCGe薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状生长特

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：736KB 上传时间：2019-08-17

槽栅结构SiC材料IGBT的仿真及优化分析 (2011年) 运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD)，研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性，模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线，并...

评级：0 浏览量：420 收藏量：4 资源大小：1.1MB 上传时间：2021-05-13

n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究 (2008年) 在传统氧化工艺的基础上，结合低温湿氧二次氧化退火制作4H-SiC MOS电容。通过I-V测试，结合Fowler-Nordheim（F-N）隧道电流模型分析了氧化膜质量；使用Terman法计算了SiO2/SiC界面态密度；通过XPS测试对采取不同工艺...

评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：282KB 上传时间：2021-05-24

SiC MOSFET驱动电路及实验分析 (2013年) 根据SiC MOSFET开关特性，设计了一种SiC MOSFET的驱动电路，在此基础上采用双脉冲测试方法，对SiC MOSFET的开关时间、开关损耗等进行了实验测量，分析了不同驱动电阻对SiC MOSFET开关时间、开关损耗等的影响。

评级：0 浏览量：632 收藏量：2 资源大小：339KB 上传时间：2021-05-19

陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响 陷阱效应对4H-SiC MESFET频率特性的影响

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：479KB 上传时间：2021-02-23

SIC接收器在衰落多址窃听通道中的保密性能分析 近来，一种新的多址访问（MAC）模式和一... 2）MMSE-SIC优于ZF-SIC，而通过调整SIC阶数，增加SNR或增强空间分集增益可以克服性能差距； 3）在高SNR体制下，保密性能仅取决于合法接收者与窃听者的相对距离，而不是SNR。

评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：329KB 上传时间：2021-03-02

Effect of SiC content on mechanical properties of ZrB2-SiC Nanocomposite SiC含量对ZrB2-SiC 纳米复相陶瓷力学性能的影响，刘强，韩文波，A ZrB2-SiC nanocomposite that introduced nano-sized SiC particle (SiCnp) into a ZrB2 matrix was fabricated by hot-pressing at 1900 C for 60...

评级：0 浏览量：102 收藏量：0 资源大小：734KB 上传时间：2020-01-08

基于分组纠错码指导的多分辨率SIC算法* (2007年) 采用维纳均衡器和能量均匀分布扩频矩阵的SOFDM系统在频率选择性衰落信道中的误比特率小于OFDM系统，但是维纳均衡器的使用引入了子信道间干扰，且SOFDM系统的各子信道信干比相等，现有的相继干扰消除（SIC）算法无法...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：897KB 上传时间：2021-05-16

各向异性对D带SiC IMPATT二极管性能的影响 仿真结果表明，方向4H-SiC IMPATT二极管由于其较低的电子和空穴电离速率而提供较大的击穿电压，并且由于其漂移区电压降（V D ）与击穿电压的比率较高而提供更高的DC-rf转换效率（ h ） （V B ）与方向的4H-SiC ...

评级：0 浏览量：92 收藏量：1 资源大小：540KB 上传时间：2021-03-04

SiC纳米颗粒的快速表面修饰的工艺研究 SiC纳米颗粒的快速表面修饰的工艺研究，邹桂真，宋维力，利用化学镀的方法，对SiC纳米颗粒进行快速表面修饰，制备了SiC-Ni纳米复合颗粒。采用XRD, TEM，和EDS等测试手段对形成的纳米复合颗粒的�

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：536KB 上传时间：2020-01-08

SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究 SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究，田晓丽，石瑞英，C元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC热氧化SiO2层的质量及SiC MOS器件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2�

评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：391KB 上传时间：2020-02-05

硅热蒸发法制备sic纳米线及其结构表征 (2008年) 再用场发射扫描电镜（FESEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）等进行形貌和结构研究，发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状，大多为3 C-SiC单晶，其[111]方向与纳米线长度方向一致，间或有折线，弯曲和螺旋形．...

评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：303KB 上传时间：2021-05-18

SiC的声子各向异性特性的拉曼散射研究 SiC的声子各向异性特性的拉曼散射研究

评级：0 浏览量：62 收藏量：0 资源大小：1.79MB 上传时间：2021-03-13

4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性 4H-SiC中拉曼散射的温度和掺杂依赖性

评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：1.94MB 上传时间：2021-03-13

论文研究-6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究 .pdf 6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究，林涛，李佳，采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.4%）的SiCGe薄膜样品，研究��

评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：698KB 上传时间：2019-08-17

C/C-SiC陶瓷制动材料的研究现状与应用 (2005年) 通过分析合成材料、粉末冶金材料,C/C和C/ C-Sic复合材料等摩擦材料的特点及其性能,指出C/ C-SiC复合材料是一种能满足高速高能载制动的高性能陶瓷制动材料。综述了先驱体转化法、化学气相浸渗法和反应熔体浸渗法制备C...

评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：5.02MB 上传时间：2021-05-26

用Ag-Cu-Ti-SiC复合钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金 用Ag-Cu-Ti-SiC复合钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金，林国标，黄继华，用Ag、Cu、Ti粉及SiC粉组成的混合粉末钎料，真空钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金，形成增强相为Ti3(Si,Cu)Cx（x≤2）化合物、Ti-Si化合物�

评级：0 浏览量：169 收藏量：0 资源大小：512KB 上传时间：2020-01-26

SiC晶粒尺寸对SiC/AlN可加工复合陶瓷性能的影响 SiC晶粒尺寸对SiC/AlN可加工复合陶瓷性能的影响，晋普，牛瑞冬，本文中制备了具有不同SiC晶粒尺寸的 SiC/Al/h-BN可进行后期硬化处理的可加工复合陶瓷。用等离子体活化烧结法（PAS）制备可机械加工的预

评级：0 浏览量：164 收藏量：1 资源大小：540KB 上传时间：2020-01-10

SiC晶须的分散行为研究 SiC晶须的分散行为研究 ，张玲洁，郭兴忠，以蒸馏水为分散介质，六偏磷酸钠、PEG 2000和吐温-80为分散剂，采用沉降法、Zeta电位、红外分析等研究了SiC晶须的分散稳定机制，探讨了

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：272KB 上传时间：2020-01-08

Laser Cladding of SiC-reinforced MMC Coatings Authors have successfully produced SiC reinforced metal matrix composite (MMC) coatings by using a 2 kW Nd: YAG laser on the substrates of 40Cr steel and an Aluminum alloy, and carried out ...

评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：2.09MB 上传时间：2021-02-25

论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 ，宋庆文，张玉明，基于水平式低压热壁化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition- CVD）生长系统，采用Al离子注入后进行二次外延生长的方法，成功的在N型4H-...

评级：0 浏览量：147 收藏量：0 资源大小：786KB 上传时间：2019-08-23

热喷涂纳米β-SiC/LBS涂层的吸波性能 (2009年) 应用喷雾造粒技术对纳米β-SiC/LBS复合吸波粉末进行团聚造粒，采用超音速火焰喷涂工艺制备高温纳米复合吸波涂层，并对复合涂层性能进行研究。结果表明，颗粒状β-SiC弥散在半熔融状态的LBS中形成涂层。涂层与基体的...

评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：407KB 上传时间：2021-04-25

用Ti3SiC2粉料连接反应烧结SiC陶瓷 (2005年) 用Ti3SiC2粉末作为焊料,采用热压反应烧结连接法连接Sic,通过正交实验,研究了连接温度、高温保温时间、连接压力和连接层厚度对试样连接强度的影响,优选出的最佳工艺参数分别为:1500℃,30min,30MPa,150um。所得到的...

评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：3.49MB 上传时间：2021-05-23

SiC基和Si基永磁同步电动机驱动器的比较 (2015年) SiC MOSFET比Si IGBT具有更快的开关速度和更高的结温工作能力，有利于减小永磁同步电动机(PMSM)驱动器的开关损耗、缩短死区时间和提高开关频率。针对1 kW PMSM，对功率器件分别采用Si IGBT和SiC MOSFET的PMSM驱动器...

评级：0 浏览量：271 收藏量：0 资源大小：377KB 上传时间：2021-05-07

温度对C / SiC复合材料光谱发射率的影响 温度对C / SiC复合材料光谱发射率的影响

评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：1.16MB 上传时间：2021-03-04

SiC薄膜制备MEMS结构 (2005年) 采用PECVD方法制备了无定形SiC薄膜，在此基础上，以SiC为结构层，利用传统的表面硅牺牲层工艺制作了电容式谐振器以及薄膜残余应力的在片检测结构。对SiC的MEMS结构进一步进行了长时间的腐蚀，以获得SiC材料的腐蚀...

评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：228KB 上传时间：2021-05-06

CVD SiC涂层的C/SiC复合材料的弯曲性能 (2008年) 以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料，在材料表面制备CVD SiC涂层，研究涂层试样氧化前、后的微观结构和室温弯曲性能。研究结果表明：CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体、裸露裂纹和附着裂纹组成，于1400℃氧化时附着...

评级：0 浏览量：65 收藏量：0 资源大小：3.69MB 上传时间：2021-05-17

4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池* (2010年) 阐述了一种4H-SiC肖特基结式Alpha效应微型核电池。利用Schottky结取代常用的p-n结，在活度为0.025mCi/cm2的241Am源辐照下进行测试，得到了开路电压Voc为0.25 V、短路电流密度Jsc为7.64nA/em2和输出功率密度Pmax为...

评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：330KB 上传时间：2021-05-11

6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化 6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化，刘其，阎秋生，本文采用集群磁流变研磨方法对单晶6H-SiC基片进行研磨试验，以材料去除率和表面粗糙度为评价指标，分析了不同种类磨粒与羰基铁粉的

评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：569KB 上传时间：2020-01-10

CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的制备及其性能 (2010年) 以针刺整体炭毡为预制体，采用化学气相渗透法(CVI)增密制备C/C多孔体，然后采用反应熔体浸渗法(RMI)，将Cu与Si同时熔渗进C/C坯体中制备CuxSiy改性C/C-SiC复合材料。研究CuxSiy改性C/C-SiC复合材料的组织结构、力学...

评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：484KB 上传时间：2021-05-24

纳米晶SiC薄膜中光致发光的衰减过程 通过螺旋波等离子体增强化学气相沉积技术沉积了纳米晶（nc）-SiC膜，并获得了强烈的蓝白色光发射。 显微组织分析表明，3C–SiC颗粒嵌入非晶SiC基体中，nc-SiC的平均尺寸为3.96 nm。 主光致发光（PL）带的光子能量...

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：802KB 上传时间：2021-02-23

C/C-SiC复合材料的导热性能及其影响因素 (2013年) 以炭纤维针剌毡为预制体，采用化学气相渗透法和熔融渗硅法相结合制得C/C-SiC复合材料；研究C/C-SiC材料在室温至1300℃之间的导热性能以及预制体结构、基体炭结构和石墨化处理对其热扩散率的影响。研究结果表明：C/C-...

评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：405KB 上传时间：2021-05-25

高压下3C-SiC的电子结构、弹性与热力学性质 (2013年) 运用密度泛函理论的超软赝势平面波方法对3C-SiC晶体结构进行了几何优化，得到与实验值相符的晶格参数，在压强为0 ～ 100 GPa范围内对3C-SiC的电子结构与弹性进行了计算，结果表明晶体结构是稳定的，且带隙随着压强的...

评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：406KB 上传时间：2021-05-28

Ti3SiC2/TiB2复合材料的制备及其组织和力学性能 (2005年) 以2TiC/Ti/Si/0.2A1/TiB2粉为原料，采用热压烧结工艺成功制备了Ti3SiC2/TiB2复合材料。结果表明：不同TiB2含量的试样中主晶相为Ti3SiC2与TiB2两相，没有发现其它杂质相；当复合材料中TiB2的体积分数为10%时，其硬度...

评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：2.33MB 上传时间：2021-05-25

熔渗法制备Ti3SiC2材料及性能影响因素 (2010年) 采用熔渗反应烧结技术制备了Ti3SiC2材料，并对影响制备材料性能的因素进行了分析。研究结果表明：在熔渗温度为1500℃、熔渗高度为6mm时，最佳熔渗保温时间应为30min；随着制备试样中Ti3SiC2相的逐渐增多，材料的抗夸...

评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：282KB 上传时间：2021-04-22

金属-SiC接触系统的势垒模型 金属-SiC接触系统的势垒模型

评级：0 浏览量：25 收藏量：0 资源大小：1.49MB 上传时间：2021-03-09

原位生长碳纳米管增强SiCf/SiC复合材料的力学性能 (2014年) 碳化硅纤维增强碳化硅复合材料(SiCf/SiC)是航空航天和聚变能源等高技术领域理想的高温结构材料,改善纤维与基体的界面结合是提高其力学性能的关键。本文采用化学气相沉积法在纤维表面原位生长碳纳米管,以达到改善纤维...

评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：2.19MB 上传时间：2021-05-25

升华法制备SiC单晶及表征 升华法制备SiC单晶及表征，汪洋，万隆，石墨电极与SiC原料直接接触，通电后利用接触电阻及SiC颗粒间产生的电弧加热SiC粉源，采用升华法原理成功制备了SiC单晶材料。实验表明

评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：325KB 上传时间：2020-01-30

颗粒失效对SiC增强铝基复合材料屈服应力的影响模型 (2010年) 基于修正的剪切滞后模型、Eshelby等效夹杂理论以及Weibull统计分布，发展SiC增强铝基复合材料屈服应力的本构模型。选取多种铝合金，包括工业纯铝、Al-Mg-Si合金、Al-Cu-Mg合金以及Al-Zn-Mg合金，作为复合材料的基体...

评级：0 浏览量：57 收藏量：0 资源大小：251KB 上传时间：2021-04-26

分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程 (2009年) 利用分子动力学方法模拟了sic材料的辐照损伤过程，对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中，sic原子之间的作用势采用Terso圩经验势，入射离子采用了10keV的si和200keV的Au。在200keV的Au原子入射的...

评级：0 浏览量：262 收藏量：1 资源大小：315KB 上传时间：2021-06-01