采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线．反应产物首先经X射线衍射（XRD）确定为3C-SiC．再用场发射扫描电镜（FESEM）和高分辨透射电镜（HRTEM）等进行形貌和结构研究，发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状，大多为3 C-SiC单晶，其[111]方向与纳米线长度方向一致，间或有折线，弯曲和螺旋形．在这些结果的基础上，提出3 C-SiC纳米线形核生长的气液固（V LS）机制：硅蒸气（V）溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴（L），与碳纳米管反应（S），生成3C-SiC晶核并沿碳
