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SiC热氧化SiO2的光谱学表征研究,田晓丽,石瑞英,C元素的存在及其诱生的空位型缺陷影响SiC热氧化SiO2层的质量及SiC MOS器件的击穿特性。本文利用红外光谱研究了6H-SiC上热氧化生长的SiO2�
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weixin_38732744
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