升华法制备SiC单晶及表征,汪洋,万隆,石墨电极与SiC原料直接接触,通电后利用接触电阻及SiC颗粒间产生的电弧加热SiC粉源,采用升华法原理成功制备了SiC单晶材料。实验表明
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