标题和描述中提到的核心知识点是半导体SiC单晶粉料和设备生产的新突破，以及相关的技术应用。在科技动态中，我们看到中国的航天技术在新型充气式再入减速技术(IRDT)上取得了进展，这项技术结合了热防护、气动减速、着陆缓冲和水上漂浮功能，为航天器的承载、减速和防热一体化设计提供了可能。同时，文中提到了NASA的类似技术——LDSD，用于验证高速减速器的概念，未来可能与IRDT技术相结合，提高着陆器的负载能力和着陆效率。
另一方面，中国电子科技集团公司第二研究所成功研发并生产了100台SiC单晶生长设备，标志着我国在第三代半导体材料SiC领域的进步。SiC单晶因其大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率和高热导率等特性，成为高温、高频、大功率、抗辐射器件的理想选择，广泛应用于5G通信、卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车和通信基站等领域。生产高质量SiC单晶的关键在于纯SiC粉料和单晶生长炉，研究所已经掌握了纯度控制、粒度控制和晶型控制等关键技术，实现了99.9995%以上纯度的SiC粉料批量生产。
此外，高通公司推出了针对Windows 10 PC的骁龙850移动计算平台，集成了X20 LTE调制解调器和人工智能引擎，旨在提供更高效能、更长电池寿命以及更好的连接性能。骁龙850移动计算平台支持多任务处理，具备强大的LTE连接能力，可实现始终在线、始终连接的使用体验，并且相比前代产品在能效和AI性能上有显著提升，同时支持高达1.2 Gbps的LTE速率和长达25小时的电池续航。
总的来说，这些技术突破涵盖了航天技术、半导体材料科学和移动计算平台的最新发展，展示了中国在这些领域不断进步的科研实力和技术创新能力。
