SiC单晶生长Growth of Bulk SiC刘喆 徐现刚 摘 要：本文综述了国际上SiC单晶生长的发展历史及现状.从其结构特点生长方法的选择,生长过程中的问题以及存在的晶体缺陷等方面进行了介绍.关键词：碳化硅;单晶生长;宽禁带半导体分类号：O782.7 文献标识码：A文章编号：1004-793X(2003)02-0274-05基金项目：国家杰出青年科学基金资助项日(60025409)和863资助项日(2001AA31108).作者简介：刘喆(1978-),女,硕士研究生,从事SiC晶体生长的研究. 作者单位：刘喆（山东大学晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100）
