SiC欧姆接触特性 (2011年)

通过离子注入外延层实现高浓度掺杂和直接采用高掺杂外延层两种方法分别制备了4H-SiC欧姆接触,对应退火条件分别为(950℃,Ar,30min)和(1000℃,N2,2min) .采用传输线法测试得到的比接触电阻分别为1.359×10-5Ω?cm2和3.44×10-6Ω?cm2.二次离子质谱分析表明,高温退火过程中镍硅化合物和TiC的形成有利于欧姆接触特性.