高压下3C-SiC的电子结构、弹性与热力学性质 (2013年)

运用密度泛函理论的超软赝势平面波方法对3C-SiC晶体结构进行了几何优化，得到与实验值相符的晶格参数，在压强为0 ～ 100 GPa范围内对3C-SiC的电子结构与弹性进行了计算，结果表明晶体结构是稳定的，且带隙随着压强的增大而减小。然后利用准谐德拜模型研究了3C-SiC在温度为O ～ 2100 K、压强为0 ～ 100 GPa范围内的热力学性质，结果表明其等容热容、热膨胀系数及熵函数都随温度的升高而增大，随压强的增大而减小，而德拜温度随温度的升高而减小，随压强的增大而增大。