分子动力学研究SiC材料中的辐照损伤过程 (2009年)

利用分子动力学方法模拟了sic材料的辐照损伤过程，对缺陷的产生规律以及电子能损的影响进行了研究。模拟中，sic原子之间的作用势采用Terso圩经验势，入射离子采用了10keV的si和200keV的Au。在200keV的Au原子入射的情况下，利用io。track模型考虑了电子能损的效应。结果表明电子能损的影响主要体现在级联碰撞过程中移位原子的峰值的增大，对系统稳定后最后的缺陷数量影响不明显，缺陷对个数与核能损仍然保持幂函数的关系。