论文研究-6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究 .pdf

6H-SiC衬底上SiCGe薄膜的生长特性研究，林涛，李佳，采用低压热壁化学气相沉积法，在6H-SiC衬底(001)面上生长了不同温度（1100℃~1250℃），不同GeH4流量比（13.8%~44.

6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究

6H-SiC衬底ICP图形化刻蚀技术研究，韩铭浩，申人升，通过电子束蒸发设备，在6H-SiC单晶衬底上蒸镀金属Ni做为掩膜图形，利用光刻技术获得图形化Ni掩膜。采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺

mimo检测算法zf.zf-sic,mmse,mmse-sic性能matlab仿真

mimo检测算法zf.zf-sic,mmse,mmse-sic性能曲线的matlab仿真，实测可用

6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化

6H-SiC晶片集群磁流变研磨工艺优化，刘其，阎秋生，本文采用集群磁流变研磨方法对单晶6H-SiC基片进行研磨试验，以材料去除率和表面粗糙度为评价指标，分析了不同种类磨粒与羰基铁粉的

论文研究-SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究 .pdf

SiC单晶生长动力学模型和缺陷形成机制的研究，徐伟，刘雪绞，近年来大直径SiC单晶体的生长是国内外研究的重点，SiC是一种宽带隙半导体材料、第三代半导体材料的代表。物理气相传输法（PVT）是生

面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化

面向辐射探测应用的4H-SiC SBD器件电学性能仿真与优化 ，王伟，夏晓川，本文主要研究第三代宽带隙半导体4H-SiC材料制备的核辐射探测器a粒子辐射特性，利用Silvaco-TCAD软件进行了相关

n型与半绝缘6H-SiC晶体的超快载流子动力学

利用带间激发的超快瞬态吸收光谱，研究了导电(n型)氮(N)掺杂和半绝缘(SI)钒(V)掺杂6H-SiC晶片的超快载流子复合动力学过程。N杂质和/或固有缺陷的间接复合主导了n型6H-SiC的载流子弛豫，

高品质6英寸N型4H-SiC单晶生长研究

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响，优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布，在此条件

Effect of SiC content on mechanical properties of ZrB2-SiC Nanocomposite

SiC含量对ZrB2-SiC 纳米复相陶瓷力学性能的影响，刘强，韩文波，A ZrB2-SiC nanocomposite that introduced nano-sized SiC particle

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究

用Ag-Cu-Ti-SiC复合钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金

用Ag-Cu-Ti-SiC复合钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金，林国标，黄继华，用Ag、Cu、Ti粉及SiC粉组成的混合粉末钎料，真空钎焊Cf/SiC陶瓷基复合材料与钛合金，形成增强相为Ti3(

碳化硅辐照效应研究

碳化硅辐照效应研究 6H-SiC研究 辐照效应

ZrB2-SiC超高温陶瓷的氧化行为研究

ZrB2-SiC超高温陶瓷的氧化行为研究，刘爱东，陈海龙，研究了ZrB2 -SiC超高温陶瓷材料的700-1900℃的氧化行为。研究结果表明: ZrB2-SiC超高温陶瓷材料氧化层的形成与结构演化主要

论文研究-SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究 .pdf

SiC衬底GaN基蓝光LED理想因子研究，房硕，梁红伟，使用MOCVD系统在6H-SiC衬底上生长了GaN/InGaN量子阱结构蓝光LED外延片。在20mA电流下样品的正向电压为3.5V，中心发光波长

6H-SiC同质外延层上Si

用化学气相淀积(CVD)的方法, 在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层, 继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼散射等方法对所得的样品进行了

简单点缺陷对3C-SiC熔化过程影响的分子动力学研究

简单点缺陷对3C-SiC熔化过程影响的分子动力学研究，马梨，赵耀林，本文采用了Tersoff/ZBL势对3C-SiC熔化过程及简单点缺陷对3C-SiC熔化过程的影响进行了分子动力学（MD）模拟研究。研

β-SiC微粉过滤分级实验研究

针对磨料微粉精细分级存在的困难,自行设计了过滤分级装置。研究了料浆浓度、原料粒度、滤层粒度和厚度以及横截面积对β-SiC微粉过滤分级结果的影响。实验结果表明:该分级装置可以实现亚微米粒径的精细分级,可

论文研究-一种多链式结构的3D-SIC过硅通孔（TSV）容错方案.pdf

三维（3-Dimensional，3D）电路由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重视和研究，而硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技术是三维电路中互联上下层

MIMO系统中ZF-SIC均衡算法

为了解决MIMO中的码间串扰问题，采用改进的ZF-SIC算法惊醒均衡。结果显示为采用均衡算法与为采用均衡算法，误码率随着信噪比增加而增加的图像。

4H-SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后，引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP

AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性

AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的阴极荧光特性，吴军，韩平，本工作利用化学气相淀积（CVD）方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功异质外延生长了4H-SiC薄膜；用X射线衍射（XR

论文研究-Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 .pdf

Super junction结构4H-SiC同质外延生长和肖特基器件制备 ，宋庆文，张玉明，基于水平式低压热壁化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition- CVD）生长系统，采用

论文研究-SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 .pdf

SiC衬底倾角对MOCVD生长GaN外延层质量的影响，宋琳，梁红伟，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD）方法，在相同的条件下在不同倾角的Si面6H-SiC衬底上生长GaN外延层。采用原子力显微镜(

无限微热源法合成的β-SiC晶须与颗粒的分离

对无限微热源法合成的β-SiC晶须(β-SiCw)和颗粒的特性进行了分析和比较,在此基础上对各种分离方法进行了实验。结果表明,湿筛和自由沉降分级可使β-SiCw富集于0～60μm粒级的产品中,品位从1

High-temperature strength of ZrB2-SiC composites

ZrB2-SiC复合材料高温强度，张幸红，胡平，本文研究了颗粒尺寸和SiC含量对ZrB2-SiC复合材料高温强度的影响。研究结果表明该材料的强度主要取决于颗粒的尺寸大小。含有小晶粒尺�

新型Ni-SiC复合镀层的制备及性能的研究

新型Ni-SiC复合镀层的制备及性能的研究，胡炜，谭澄宇，本文利用电沉积法，通过调控电镀工艺，制备出具有一定梯度的新型Ni-SiC复合镀层，显微硬度测试表明：复合镀层的硬度比纯镍金属硬度

An investigation of terahertz response in monocrystalline 6H-SiC for electro-optic sampling

An investigation of terahertz response in monocrystalline 6H-SiC for electro-optic sampling

新型煤气化载能材料的质量研究

利用自行设计的新型煤气化炉,实现了不同碳质原料的气化实验.分析了气化对载能材料的纯度、晶体形态及产量的影响,研究了烟煤的高温孔隙结构和焦炭的高温表面碳微粉对6H-SiC多型含量的影响,指出气化对载能材

AlN缓冲液对6H-SiC衬底上生长的GaN薄膜物理性能的影响

在这项研究中，通过金属有机化学气相沉积法在6H-SiC衬底上制备了具有AlN缓冲层的1.5微米厚的GaN膜。 为了确定AlN缓冲液的生长条件对GaN薄膜的晶体质量和应力状态的影响，进行了两个系列的实验

开源项目-eduncan911-sic2lp.zip

开源项目-eduncan911-sic2lp.zip,SafeInCloud -to- LastPass Converter: Now that LastPass is free, finally a