Cu互连

本专辑为您列举一些Cu互连方面的下载的内容,Cu互连等资源。把最新最全的Cu互连推荐给您,让您轻松找到相关应用信息,并提供Cu互连下载等功能。本站致力于为用户提供更好的下载体验，如未能找到Cu互连相关内容，可进行网站注册，如有最新Cu互连相关资源信息会推送给您。

阅读全文

Cu互连

: Cu互连应力迁移温度特性研究提出了一种基于扩散-蠕变机制的空洞生长模型,结合应力模拟计算和聚焦离子束分析技术研究了Cu互连应力诱生空洞失效现象,探讨了应力诱生空洞的形成机制并分析了空洞生长速率与温度、应力梯度和扩散路径的关系....
评级：0 浏览量：104 收藏量：1 资源大小：746KB 上传时间：2021-02-23

: 行业分类-设备装置-利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的方法和设备.zip 行业分类-设备装置-利用无电膜沉积形成平坦化Cu互连层的方法和设备
评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：1.55MB 上传时间：2021-09-12

: 通过自蔓延的放热React性键合形成Sn-Cu互连并使其均质化通过自蔓延的放热React性键合形成Sn-Cu互连并使其均质化
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：1.85MB 上传时间：2021-03-02

: AEC-Q006A：2016 使用铜（Cu）线互连的部件的资格要求 - 完整英文电子版（15页）完整英文电子版AEC-Q006A：2016 Qualification Requirements for Components using Copper (Cu) Wire Interconnects - （使用铜（Cu）线互连的部件的资格要求）。本规范的目的是确定组件能够通过指定的压力测试，...
评级：5 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：228KB 上传时间：2023-11-12

: 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2020-07-28

: 8023cu-2021.pdf IEEE 802.3cu标准的应用前景非常广阔，包括高速数据中心互连、高速云计算、高速视频传输等领域。该标准的发布将推动高速以太网技术的普及和应用，带来更多的应用机会和商业价值。 IEEE 802.3cu标准是高速以太网技术...
评级：0 浏览量：185 收藏量：0 资源大小：1.02MB 上传时间：2021-12-19

: CoTa合金作为Cu / low-k互连的阻挡层的研究 CoTa合金作为Cu / low-k互连的阻挡层的研究
评级：0 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：2.3MB 上传时间：2021-04-06

: PCB技术中的NEC推出第二代65nm节点VLSI多层互连技术 NEC公司和NEC电子公司近日推出多层Cu/Low-k互连技术，适于第二代65nm节点VLSI应用。通过改善互连结构和介质材料，减小有效介电常数，keff，在不影响可靠性的前提下使keff的目标值达到3.0。与常规结构比较，互连功耗...
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2020-12-09

: 芯片互连引线键合技术PPT学习教案.pptx 3. 热超声键合（TSB）：用于Au和Cu丝的键合。采用超声波能量，键合时要提供外加热源。引线键合技术的优点： * 高可靠性 * 高产量 * 低成本引线键合技术的应用范围： * 陶瓷和塑料BGA、SCP和MCP封装 * 陶瓷和...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：2.16MB 上传时间：2021-10-05

: Si/(Ni-Cr合金)/Cu扩散偶950℃相稳定性 (2009年) 在半导体硅片（Si）-扩散阻挡层（Ni-Cr合金）-金属互连材料（Cu）构成的体系中，Si和Ni-Cr合金之间以及Ni-Cr合金和Cu之间各构成一对扩散偶。通过制备扩散偶试样模拟相应的界面反应，实验测定950℃下界面反应产物的表...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：874KB 上传时间：2021-05-25

: 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响 (2011年) 基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对...
评级：0 浏览量：39 收藏量：0 资源大小：1.06MB 上传时间：2021-06-15

: JEDEC JESD214-01：2017 用于表征应力诱导空洞的铜互连金属化的恒温老化方法 - 完整英文电子版（25页）完整英文电子版 JEDEC JESD214-01：2017 Constant-Temperature Aging Method to Characterize Copper Interconnect Metallization for Stress-Induced Voiding （用于表征应力诱导空洞的铜互连金属化的恒温老化方法...
评级：0 浏览量：27 收藏量：0 资源大小：503KB 上传时间：2023-11-15

: 电迁移极性效应及其对Sn-3.0Ag-0.5Cu无铅焊点拉伸性能的影响 (2011年) 采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和微拉伸实验,研究 Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu对接焊点在不同电迁移时间下阳极、阴极界面金属间化合物(IMC)的生长演变规律及焊点抗拉强度的变化,同时对互连焊点的断口形貌及断裂...
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：3.34MB 上传时间：2021-05-15

: Si－TiNx和TiNx－Cu界面反应驱动力热力学分析 Si－TiNx和TiNx－Cu界面反应驱动力热力学分析，李长荣，李维君，在半导体硅片(Si)－扩散阻挡层(TiNx)－金属互连材料(Cu)构成的体系中，Si和TiNx之间和TiNx和Cu之间各构成一对扩散偶。本文将从热力学的角�
评级：0 浏览量：71 收藏量：0 资源大小：433KB 上传时间：2020-03-05

: Si/(Ni-Cr合金)/Cu扩散偶950℃时的界面反应 Si/(Ni-Cr合金)/Cu扩散偶950℃时的界面反应，王炜，李长荣，在半导体硅片(Si)－扩散阻挡层(Ni-Cr合金)－金属互连材料(Cu)构成的体系中，Si和Ni-Cr合金之间以及Ni-Cr合金和Cu之间各构成一对扩散偶。本�
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：539KB 上传时间：2020-02-05

: 边缘计算网络拓扑结构.pptx 5G时代的CU和DU分离使得UPF设备能更接近用户，进一步推动边缘计算的发展。 - **网络互连层**：为了支持大规模应用，边缘节点之间需要有强鲁棒性的网络连接，实现数据的分布式实时处理。 2. **边缘节点之间的网络...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：327KB 上传时间：2023-05-26

: 计算机体系结构金星第六章阵列处理机.ppt 阵列处理机也称并行处理机，是一种将大量重复设置的处理单元 PE 按一定方式互连成阵列，在单一控制部件 CU 控制下对各自所分配的不同数据并行执行同一指令规定的操作的计算机。处理单元是不带指令控制部件的算术逻辑...
评级：0 浏览量：73 收藏量：0 资源大小：358KB 上传时间：2021-09-28

: 微电子封装的技术.ppt 焊接粘贴法工艺是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni，同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。导电胶粘贴法不要求芯片背面和基板具有金属化层，芯片座粘贴后，用导电胶固化要求的温度时间进行固化，可以在洁净的烘箱中...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：3.06MB 上传时间：2022-12-08

: Bumping基础培训资料-Bumping-Basic-Training-Material Copper Column Bump结构主要由Cu Pillar、Seed Metal、Pb-Free Solder等部分组成。三、Bumping生产方式 Bumping生产方式主要包括电镀、印刷、植球等方法。电镀是指通过电镀方式将金属材料沉积在wafer上形成bumps...
评级：5 浏览量：338 收藏量：3 资源大小：2.64MB 上传时间：2022-05-05

: 有铅锡与无铅锡可靠性的比较无铅焊接互连可靠性是一个非常复杂的问题，它取决于许多因素，我们简单列举以下七个方面的因素：　1)取决于焊接合金。对于回流焊，“主流的”无铅焊接合金是Sn-Ag-Cu(SAC)，而波峰焊则可能是SAC或Sn-Cu。SAC合金和...
评级：0 浏览量：125 收藏量：0 资源大小：72KB 上传时间：2021-01-19

: PCB技术中的有铅锡与无铅锡可靠性的比较无铅焊接互连可靠性是一个非常复杂的问题，它取决于许多因素，我们简单列举以下七个方面的因素：　1)取决于焊接合金。对于回流焊，“主流的”无铅焊接合金是Sn-Ag-Cu(SAC)，而波峰焊则可能是SAC或Sn-Cu。SAC合金和...
评级：0 浏览量：338 收藏量：0 资源大小：73KB 上传时间：2020-11-05

: matlab阻滞增长模型代码-physics_based_em_assessment_analysis:该网站专门介绍由VSCLAB在UCRi 电迁移（EM）是一种物理现象，由于原子和导电电子之间的动量交换，金属（Cu）原子沿施加的电场方向定向迁移。原子的迁移会导致金属密度的耗尽或积累，从而导致整个导体上的静水压力积累。当电流密度足够高（大约1...
评级：0 浏览量：167 收藏量：0 资源大小：7.17MB 上传时间：2021-05-24

: 基础电子中的薄膜电路技术在T/R组件中的应用薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术，在抛光的...制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构...
评级：0 浏览量：87 收藏量：0 资源大小：306KB 上传时间：2020-11-10

: 计算机体系结构-第7章-20201 多处理机系统（MIMD）由两个或更多处理机组成，包括处理单元（PU）和控制单元（CU），它们之间通过高速互连网络交互。 **多处理机的分类**： 1. **按耦合度**：分为紧耦合和松散耦合。紧耦合多处理机，如SMP（对称...
评级：0 浏览量：44 收藏量：0 资源大小：3.28MB 上传时间：2022-08-08

: 《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库[整理].pdf * 写出三种半导体制造业的金属和合金分别是Ａｌ、Ｃｕ和铝铜合金。 * 阻挡层金属是一类具有高熔点的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是Ｗ和Ｔｉ。七、其他 * 深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。 * 高的深...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：2.3MB 上传时间：2021-10-11

: 2023年软件设计师复习笔记重点总结.doc * 通过反复设立大量相同的解决单元 PE（Processing Element），将它们按一定方式互连成阵列，在单一控制部件 CU（Control Unit）控制下，对各自所分派的不同数据并行执行同一组指令规定的操作 * 操作级并行的 SIMD ...
评级：0 浏览量：97 收藏量：0 资源大小：58KB 上传时间：2022-10-26

: 计算机组成原理期末复习资料.doc PCI：外围部件互连总线，是一种总线标准，它定义了计算机中的总线接口和协议。 USB：通用串行总线，是一种总线标准，它定义了计算机中的总线接口和协议。 RS-232C：串行通信总线，是一种总线标准，它定义了计算机...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：175KB 上传时间：2022-10-16

: 软考信息系统管理工程师16开缩小.doc * 并行处理机 SIMD：一个控制器 CU，N 个处理单元 PE，一个互连网络 IN。 * 并行处理机主要特点：单指令流多数据流方式工作，采用资源重复方法引入空间因素，以某一类算法为背景的专用计算机，异构型多处理系统。 ...
评级：0 浏览量：80 收藏量：0 资源大小：157KB 上传时间：2021-10-31

: 高速数据传输中的高度集成硅光引擎在制造过程中，TIA和驱动器先进行Cu-Ni-SnAg凸块镀层，然后通过倒装芯片配置与硅光子芯片连接。而DFB激光器则通过AuSn焊料在硅光子芯片上固定。这种2.5D集成技术大大减少了组件的占用空间，使得复杂的光学模块设计变...
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：588KB 上传时间：2020-12-05

: 薄膜电路技术在T/R组件中的应用薄膜多层电路是指采用真空蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺以及湿法刻蚀和干法刻蚀(反应离子刻蚀、等离子刻蚀、激光刻蚀)等图形形成技术，在抛光的...制作导体(Cu或Au等)布线与绝缘介质膜(PI或BCB等)相互交叠的多层互连结构...
评级：0 浏览量：120 收藏量：0 资源大小：281KB 上传时间：2020-10-23

: 罗门哈斯推出新的ACuPLANE™铜阻挡层CMP解决方案罗门哈斯电子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials）旗下的研磨技术事业部（CMP Technologies）面向高级Cu/low-k材料互连应用产品推出了ACuPLANE?铜阻挡层CMP解决方案。ACuPLANE系统将罗门哈斯的EcoVision?...
评级：0 浏览量：91 收藏量：0 资源大小：57KB 上传时间：2020-11-17

: 信息系统管理工程师复习资料(部分).pdf 6. 并行处理机SIMD 一个控制器CU， N个处理单元PE，一个互连网络IN 。并行处理机的主要特点： 7. ⑴单指令流多数据流方式工作。 ⑵采用资源重复方法引入空间因素。 ⑶以某一类算法为背景的专用计算机。 ⑷并行...
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：69KB 上传时间：2021-11-19

: 紫外线辅助热处理改善多孔SiO2:F薄膜机械性能研究紫外线辅助热处理改善多孔SiO2:F薄膜机械性能研究，许金海，曹文磊，超大规模集成电路的集成度越来越高，Cu/低k材料系统的引入可以有效降低互连RC延迟问题。多孔SiO2:F薄膜具有许多优良性能，成为下一�
评级：0 浏览量：84 收藏量：0 资源大小：511KB 上传时间：2020-02-28

: 信息系统管理工程师考前笔记 1. 计算机基本组成：运算器、控制器、存储器、输入设备、输出设备。...6.并行处理机SIMD 一个控制器CU，N个处理单元PE，一个互连网络IN 。 7.并行处理机主要特点： ⑴　单指令流多数据流方式工作。
评级：3 浏览量：49 收藏量：0 资源大小：115KB 上传时间：2011-05-17

: 信息系统管理工程师复习笔记网上找的分享给大家并行处理机SIMD 一个控制器CU，N个处理单元PE，一个互连网络IN 并行处理机主要特点： 1.单指令流多数据流方式工作 2.采用资源重复方法引入空间因素 3.以某一类算法为背景的专用计算机。 4.并行处理机的研究必须...
评级：0 浏览量：118 收藏量：0 资源大小：91KB 上传时间：2011-03-03

: 软考信息系统管理工程师考前复习笔记 2. 并行处理机：SIMD 是一种并行处理机结构，采用一个控制器 CU、N 个处理单元 PE、一个互连网络 IN。并行处理机的主要特点是单指令流多数据流方式工作，采用资源重复方法引入空间因素。 3. 多处理机系统组成：MIMD...
评级：0 浏览量：163 收藏量：0 资源大小：170KB 上传时间：2009-11-23

资源推荐

相关资源标签

软考信息系统考前复习信息系统管理工程师复习笔记首发论文 Cu互连电沉积Cu层脉冲电镀直流电镀技术应用嵌入式开发 PCB技术中的有铅锡与无铅锡可靠性的比较 PCB技术基础电子研究论文工程技术论文系统开源自然科学专业资料软件开发信息系统管理工程师 Bumping 晶圆级封装网络操作系统分布式边缘计算 jedec