IPW60R040C7 INFINEON 英飞凌 电子元器件芯片.pdf

"IPW60R040C7 英飞凌 MOSFET 电子元器件芯片" 本文档介绍了英飞凌（Infineon）公司的IPW60R040C7 MOSFET 电子元器件芯片，该芯片基于CoolMOS™ C7 技术，具有高压、高效率和高可靠性的特点。 CoolMOS™ C7 技术 CoolMOS™ C7 是一种革命性的高压 MOSFET 技术，由英飞凌公司率先开发和应用于高压power MOSFETs。该技术基于超结（SJ）原理，结合了英飞凌公司的丰富经验和高级创新技术。 IPW60R040C7 特点 IPW60R040C7 是一款600V CoolMOS™ C7 系列power MOSFET，具有以下特点： * 600V 的高压等级 * 极低的RDS(on) (<1 Ohm*mm²) * 高效率和高可靠性 * 适用于各种应用场景，例如服务器、电信、太阳能等 * 具有高 dv/dt ruggedness（120V/ns） * 具有低 Eoss 和 Qg 应用场景 IPW60R040C7 适用于各种高压应用场景，例如： * PFC（Power Factor Correction） stages * PWM（Pulse Width Modulation） stages * server, telecom, solar 等应用场景 技术优势 IPW60R040C7 的 CoolMOS™ C7 技术具有以下技术优势： * 高效率：低 RDS(on) 和低 Eoss，能够提高系统效率 * 高可靠性：高 dv/dt ruggedness，能够提高设备的可靠性 * 高灵活性：适用于各种应用场景，例如服务器、电信、太阳能等 参数详解 Table 1 列出了 IPW60R040C7 的 key performance parameters，包括： * VDS @ Tj,max：650V * RDS(on),max：40mΩ * Qg,typ：107nC * ID,continuous @ Tj<150°C：73A * Eoss@400V：12.6µJ * Body diode di/dt：450A/µs IPW60R040C7 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET 电子元器件芯片，适用于各种高压应用场景。