BSC012N06NS INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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英飞凌的BSC012N06NS是一款高性能的N沟道MOSFET芯片,专为同步整流应用优化设计。这款芯片的规格书详细列出了其主要特性、参数以及封装信息,旨在为设计者提供全面的技术参考。 首先,BSC012N06NS的最大电压(VDS)为60V,这意味着它能够在不超过60V的电压环境下稳定工作。其漏源阻抗(RDS(on))的最大值仅为1.2毫欧,这使得它在低电阻应用中表现出色,能够实现高效率的电源转换。同时,该芯片可承受的最大电流(ID)为100A,满足大电流需求的应用场景。 在热性能方面,BSC012N06NS具有优越的热阻特性,这有助于在高功率运行时保持良好的温度稳定性。此外,该芯片通过了100%雪崩测试,确保了在过载条件下的安全性。英飞凌还特别强调,该产品采用无铅电镀,符合RoHS标准,且不含卤素,符合IEC61249-2-21的环保要求,提高了焊接连接的可靠性。 BSC012N06NS的封装形式为TSON-8-38,这是一种小型表面贴装器件,便于在高密度电路板上布局。规格书中还包括了QOSS(关态电荷)和QG(栅极电荷)等电气特性参数,分别为122nC和115nC,这些参数对于理解开关速度和开关损耗至关重要。 此外,该芯片已经通过了工业应用的相关JEDEC测试,确保了在各种环境条件下的稳定性和可靠性。规格书还包含关键性能参数的表格、电气特性曲线图、封装轮廓以及修订历史等信息,为设计人员提供了详细的设计依据和选型指南。 总的来说,英飞凌的BSC012N06NS是一款适用于高效率电源管理、同步整流应用的高性能MOSFET,其低RDS(on)、高电流能力以及优秀的热管理和环保特性,使其成为工业级电子设备的理想选择。设计者可以根据规格书中的详细数据来评估和集成这款芯片到他们的系统设计中。
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