BSC117N08NS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
英飞凌BSC117N08NS5是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),属于OptiMOSTM5系列,适用于高效率开关电源(SMPS)如同步整流器等应用。这款芯片的特点包括100%雪崩测试,卓越的热性能,以及符合JEDEC标准的合格认证,确保了在目标应用中的可靠性和稳定性。 该MOSFET的主要参数如下: - 最大漏源电压(VDS):80V - 静态导通电阻(RDS(on))最大值:11.7毫欧 - 输入电容(Qoss):19nF - 总栅极电荷(QG)在0V到10V时:15nC - 封装类型:PG-TDSON-8,具有SuperSO8封装形式 - 其他特性:铅免焊接,符合RoHS标准,且不含卤素,符合IEC61249-2-21标准 规格书中包含了以下内容: 1. 描述:详细介绍了BSC117N08NS5的特性、应用领域和设计优势。 2. 最大额定值:列出了设备在安全操作范围内可以承受的最大电压、电流和功率等参数。 3. 热特性:提供了关于芯片散热性能的数据,如热阻等,这对于高功率应用中防止过热至关重要。 4. 电气特性:详述了MOSFET在不同工作条件下的电学行为,如栅极阈值电压、转移电导等。 5. 电气特性图:通过图形方式展示这些特性的变化趋势。 6. 封装轮廓:展示了芯片的实际尺寸和引脚布局,有助于在电路板上进行布局和焊接。 7. 修订历史:记录了规格书的更新和修改情况,以便跟踪产品的发展。 BSC117N08NS5的低RDS(on)使得它在开关应用中能实现高效能,而其出色的热特性则允许它在高功率环境下稳定工作。此外,符合RoHS和无卤素的要求,使得该器件符合环保标准,适合各种现代电子产品的制造。这款英飞凌MOSFET是高效电源管理解决方案的理想选择,尤其适合需要高效率和紧凑封装的场合。
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