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BSC021N08NS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
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BSC021N08NS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书
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BSC021N08NS5
Rev.2.0,2018-03-19Final Data Sheet
Pin 1
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8
4
3
2
1
5
6
7
8
TSON-8-3
8 D
7 D
6 D
5 D
S 1
S 2
S 3
G 4
MOSFET
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,80V
Features
•OptimizedforSynchronousRectificationinserveranddesktop
•100%avalanchetested
•Superiorthermalresistance
•N-channel
•175°Crated
•Pb-freeleadplating;RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
ProductValidation:
Qualifiedforindustrialapplicationsaccordingtotherelevanttestsof
JEDEC47/20/22
Table1KeyPerformanceParameters
Parameter Value Unit
V
DS
80 V
R
DS(on),max
2.1 mΩ
I
D
100 A
Q
oss
110 nC
Q
G
(0V..10V) 94 nC
Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks
BSC021N08NS5 TSON-8-3 021N08N -
2
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,80V
BSC021N08NS5
Rev.2.0,2018-03-19Final Data Sheet
TableofContents
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
3
OptiMOS
TM
5Power-Transistor,80V
BSC021N08NS5
Rev.2.0,2018-03-19Final Data Sheet
1Maximumratings
atT
A
=25°C,unlessotherwisespecified
Table2Maximumratings
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Continuous drain current I
D
-
-
-
-
-
-
100
100
27
A
V
GS
=10V,T
C
=25°C
V
GS
=10V,T
C
=100°C
V
GS
=10V,T
C
=25°C,R
thJA
=50K/W
1)
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
- - 400 A T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
3)
E
AS
- - 679 mJ I
D
=50A,R
GS
=25Ω
Gate source voltage V
GS
-20 - 20 V -
Power dissipation P
tot
-
-
-
-
214
3.0
W
T
C
=25°C
T
A
=25°C,R
thJA
=50K/W
1)
Operating and storage temperature T
j
,T
stg
-55 - 175 °C
IEC climatic category;
DIN IEC 68-1: 55/175/56
2Thermalcharacteristics
atT
j
=25°C,unlessotherwisespecified
Table3Thermalcharacteristics
Values
Min. Typ. Max.
Parameter Symbol Unit Note/TestCondition
Thermal resistance, junction - case,
bottom
R
thJC
- 0.4 0.7 K/W -
Thermal resistance, junction - case,
top
R
thJC
- - 20 K/W -
Device on PCB,
6 cm
2
cooling area
1)
R
thJA
- - 50 K/W -
1)
Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm
2
(one layer, 70 µm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical in still air.
2)
See Diagram 3 for more detailed information
3)
See Diagram 13 for more detailed information
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