BSC030N08NS5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf
英飞凌的BSC030N08NS5是一款N沟道OptiMOS MOSFET晶体管,主要用于高性能开关电源(SMPS)如同步整流器等应用。这款芯片具有以下关键特点: 1. **优化的性能**:BSC030N08NS5设计用于高效率的开关电源系统,特别适合同步整流,能够提高系统的整体能效。 2. **100%雪崩测试**:该器件通过了严格的100%雪崩测试,确保在过电压情况下有良好的耐受能力,增强了产品的可靠性。 3. **卓越的热性能**:拥有优秀的热阻特性,使得芯片在高功率应用中能够有效散热,降低热失效风险。 4. **N沟道MOSFET**:这是一种N型沟道场效应晶体管,适用于低侧驱动,通常用于电源开关或电路控制。 5. **JEDEC标准**:根据JEDEC(电子工业联盟)的标准进行资格认证,确保产品符合业界通用的品质和性能要求。 6. **无铅及RoHS合规**:采用无铅引脚电镀,符合RoHS(有害物质限制)指令,是环保型电子产品的一部分。 7. **卤素免费**:根据IEC61249-2-21标准,这款芯片不含卤素,进一步提高了其环境友好性。 关键性能参数包括: - **VDS**:最大漏源电压为80V,表示晶体管可承受的最大电压。 - **RDS(on)**:最大漏源导通电阻仅为3.0mΩ,意味着在导通状态下的电阻极低,有助于降低传导损耗。 - **ID**:连续漏电流最大为100A,定义了MOSFET在正常工作条件下的最大电流处理能力。 - **Qoss**:存储电荷为73nC,这个参数影响开关速度和开关损耗。 - **Qg**:门极总电荷在0V到10V之间为61nC,影响器件的开关速度和能效。 规格书中还包含了最大额定值、热特性、电气特性、电气特性图以及封装轮廓等详细信息。这些数据对于设计者来说至关重要,它们帮助工程师评估器件在特定应用中的表现,并确保系统稳定性和可靠性。此外,规格书的修订历史部分提供了关于产品改进和更新的信息,对于追踪产品发展轨迹十分有用。
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