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IPB020N08N5 INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书.pdf

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IPB020N08N5 INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书

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IPB020N08N5

Rev.2.2,2017-12-04Final Data Sheet

D²PAK

Drain

Pin 2, Tab

Gate

Pin 1

Source

Pin 3

MOSFET

OptiMOS

5Power-Transistor,80V

Features

•Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec.

•ExcellentgatechargexR

DS(on)

product(FOM)

•Verylowon-resistanceR

DS(on)

•N-channel,normallevel

•100%avalanchetested

•Pb-freeplating;RoHScompliant

•QualifiedaccordingtoJEDEC

fortargetapplications

•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Table1KeyPerformanceParameters

Parameter Value Unit

80 V

DS(on),max

2.0 mΩ

173 A

oss

156 nC

(0V..10V) 133 nC

Type/OrderingCode Package Marking RelatedLinks

IPB020N08N5 PG-TO 263-3 020N08N5 -

J-STD20 and JESD22

OptiMOS

5Power-Transistor,80V

IPB020N08N5

Rev.2.2,2017-12-04Final Data Sheet

TableofContents

Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1

Maximum ratings . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Electrical characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

Electrical characteristics diagrams . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Package Outlines . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

Revision History . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Trademarks . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

Disclaimer . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

OptiMOS

5Power-Transistor,80V

IPB020N08N5

Rev.2.2,2017-12-04Final Data Sheet

1Maximumratings

atT

=25°C,unlessotherwisespecified

Table2Maximumratings

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Continuous drain current I

173

133

=25°C

=100°C

Pulsed drain current

D,pulse

- - 692 A T

=25°C

Avalanche energy, single pulse

- - 674 mJ I

=100A,R

=25Ω

Gate source voltage V

-20 - 20 V -

Power dissipation P

tot

- - 300 W T

=25°C

Operating and storage temperature T

,T

stg

-55 - 175 °C

IEC climatic category;

DIN IEC 68-1: 55/175/56

2Thermalcharacteristics

Table3Thermalcharacteristics

Values

Min. Typ. Max.

Parameter Symbol Unit Note/TestCondition

Thermal resistance, junction - case R

thJC

- 0.4 0.5 K/W -

Thermal resistance, junction - ambient,

minimal footprint

thJA

- - 62 K/W -

Thermal resistance, junction - ambient,

6 cm

cooling area

thJA

- - 40 K/W -

Soldering temperature, wave and

reflow soldering are allowed

sold

- - 260 °C reflow MSL1

See Diagram 3 for more detailed information

See Diagram 13 for more detailed information

Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm

(one layer, 70 µm thick) copper area for drain connection.

PCB is vertical in still air.

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