Vanguard-VS2007AE.pdf

VS2007AE是一款由Vanguard Semiconductor Co., Ltd制造的高性能N沟道MOSFET，主要用于电源管理和其他需要高效能开关操作的领域。这款器件具有20V的漏源击穿电压（(BR)DSSV）和在VGS=4.5V时的典型4.5mΩ低导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流应用中表现出卓越的效率。最大连续漏极电流（I D）为25A，确保了其在大负载条件下的稳定性。 该MOSFET的设计特点包括增强模式操作、快速切换能力、100%雪崩测试以及符合RoHS标准的无铅引脚镀层。这表明VS2007AE能够承受短时间的过载，并且对环境友好。其热特性方面，结壳热阻（JCR）为4.0 °C/W，结-环境热阻（JAR）为62.5 °C/W，这意味着在散热良好的条件下，它可以有效地处理高达31W的最大功率耗散。 VS2007AE采用PDFN3333封装，每卷包含5000个器件，器件上的标记为“2007AE”。在静态电气特性方面，漏源击穿电压在VGS=0V和ID=250μA时最小值为20V，而零门极电压漏极电流（DSSI）在Tj=25℃和VDS=16V时典型值为0到1μA，而在Tj=125℃时则为0到100μA。门极-体漏电流（GSSI）在VGS=±12V和VDS=0V时为±100nA，门阈电压（GS(TH)V）在VDS=VGS和ID=250μA时的范围是0.5到1.2V。 此外，该MOSFET还具有单脉冲雪崩能量（EAS）评级，达到225mJ，这表明在设计中可以考虑其承受一定的雪崩电流而不会损坏。这种高能量耐受性增强了VS2007AE在过电压条件下的可靠性。 VS2007AE是一款适用于高电流、高效能开关应用的先进N沟道MOSFET，其低RDS(on)、快速切换能力和出色的热管理性能使其成为电源转换、电机驱动和其他高功率电子设备的理想选择。其电气和热特性以及环境兼容性都是其设计和制造中的重要考量因素，确保了在实际应用中的稳定性和耐用性。