Vanguard-VS30200AD.pdf

Vanguard-VS30200AD是一款30V/150A的N沟道高级功率MOSFET，由Vanguard Semiconductor Co., Ltd制造。这款器件的主要特性在于其极低的导通电阻、快速切换速度以及通过100%雪崩测试的能力，允许在最高结温Tjmax下重复进行雪崩操作。该器件适用于需要高电流和高效能的电源管理应用。 **主要参数与特性：** 1. **VGS（门-源电压）**：±20V，这指的是栅极和源极之间的最大电压。超过这个值可能会对器件造成永久性损坏。 2. **(BR)DSSV（漏-源击穿电压）**：30V，这是MOSFET可以承受的漏极到源极的最大电压，超过这个电压可能导致器件失效。 3. **JT（最大结温）**：175°C，这是MOSFET允许的最高工作温度。如果超过这个温度，可能会降低器件的可靠性。 4. **DI（连续漏极电流）**：在25°C时，当VGS = 10V时，连续漏极电流为150A；而在100°C时，该电流降为100A。 5. **DMI（脉冲漏极电流）**：在25°C时，硅片限制下的脉冲漏极电流可达到600A。 6. **DP（最大功率损耗）**：在25°C时，最大功率损耗为125W。 7. **θJCR（结-壳热阻）**：1.0°C/W，这是从半导体结到封装壳体的热阻。 8. **θJAR（结-环境热阻）**：62°C/W，表示从半导体结到周围环境的热阻。 9. **EAS（单脉冲雪崩能量）**：600mJ，表示单个脉冲雪崩事件中MOSFET能承受的最大能量。 10. **特点**：VS30200AD利用沟槽加工技术实现极低的导通电阻，确保在高电流环境中高效运作。同时，其快速切换速度提高了系统效率，而增强的重复雪崩能力则提高了其在恶劣条件下的稳定性。此外，该器件符合RoHS标准，不含有铅，对环境友好。 **应用领域：** 由于其卓越的性能指标，VS30200AD适合于高功率转换、直流-直流转换器、电机驱动、开关电源和负载开关等应用，特别是在需要处理大电流并要求低损耗和高速切换的场合。 **安全操作区与注意事项：** 在设计电路时，必须确保工作条件不超过绝对最大额定值，以防止器件过热或损坏。例如，应考虑散热解决方案以保持结温在安全范围内，并根据工作电流和环境温度调整电源设计。 Vanguard-VS30200AD是一款高性能的功率MOSFET，具备出色的电气特性，适用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。