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TI-SN74CBTLV3257-EP.pdf
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S
1B1
1B2
1A
2B1
2B2
2A
GND
V
CC
OE
4B1
4B2
4A
3B1
3B2
3A
PW PACKAGE
(TOP VIEW)
Product
Folder
Order
Now
Technical
Documents
Tools &
Software
Support &
Community
本文档旨在为方便起见,提供有关 TI 产品中文版本的信息,以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息,请访问 www.ti.com,其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确
性和有效性。 在实际设计之前,请务必参考最新版本的英文版本。
English Data Sheet: SCDS271
SN74CBTLV3257-EP
ZHCSJO7A –MAY 2008–REVISED MAY 2019
SN74CBTLV3257-EP 低低电电压压 4 位位 2 选选 1 FET 多多路路复复用用器器/多多路路信信号号分分离离器器
1
(1) 组件资质符合 JEDEC 和行业标准,确保在更宽泛的工作温度
范围内可靠运行。这包括但不限于高加速应力测试 (HAST) 或
偏压 85/85、温度循环、热压器或无偏压 HAST、电迁移、金
属间键合寿命和模塑化合物寿命。这些资质测试不能作为在超
出额定性能和环境限制的条件下使用此组件的依据。
1 特特性性
1
• 受控基线
– 一个组装地点
– 一个测试地点
– 一个制造地点
• 更宽泛的工作温度范围 -55°C 至 125°C
• 为制造资源减少 (DMS) 提供增强型支持
• 改进了产品变更通知
• 资质谱系
(1)
• 两个端口间使用 5Ω 开关连接
• 支持在数据 I/O 端口进行轨至轨开关
• I
off
支持局部断电模式运行
• 闩锁性能超过 100mA,符合 JESD 78 II 类规范
• ESD 保护性能超过 JESD 22 规范要求
– 2000V 人体模型 (A114-A)
– 200V 机器模型 (A115-A)
2 应应用用
• 支持国防、航天和医疗 应用
3 说说明明
SN74CBTLV3257 是一款 4 位 2 选 1 高速 FET 多路
复用器/多路信号分离器。此开关具有低通态电阻,可
以在最短传播延迟情况下建立连接。
选择 (S) 输入控制数据流。当输出使能 (OE) 输入为高
电平时,FET 多路复用器/多路解复用器被禁用。
该器件完全 适用于 I
off
为了部分断电的应用。I
off
特性
可确保在关断时防止损坏电流通过器件回流。该器件可
在关断时提供隔离。
为了确保加电或断电期间的高阻抗状态,OE 应通过一
个上拉电阻器被连接至 V
CC
;该电阻器的最小值由驱动
器的电流吸入能力来决定。
器器件件信信息息
(1)
器器件件型型号号 等等级级 封封装装
CCBTLV3257MPWREP T
A
= -55°C 至 125°C
TSSOP – PW
卷带封装
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
2
SN74CBTLV3257-EP
ZHCSJO7A –MAY 2008–REVISED MAY 2019
www.ti.com.cn
Copyright © 2008–2019, Texas Instruments Incorporated
目目录录
1 特特性性.......................................................................... 1
2 应应用用.......................................................................... 1
3 说说明明.......................................................................... 1
4 修修订订历历史史记记录录 ........................................................... 2
5 Pin Configuration and Functions......................... 3
6 Specifications......................................................... 4
6.1 Absolute Maximum Ratings ...................................... 4
6.2 Recommended Operating Conditions....................... 4
6.3 Electrical Characteristics........................................... 5
6.4 Switching Characteristics.......................................... 5
7 Parameter Measurement Information .................. 6
8 器器件件和和文文档档支支持持........................................................ 7
8.1 接收文档更新通知 ..................................................... 7
8.2 社区资源.................................................................... 7
8.3 商标........................................................................... 7
8.4 静电放电警告............................................................. 7
8.5 Glossary.................................................................... 7
9 机机械械、、封封装装和和可可订订购购信信息息 ......................................... 8
4 修修订订历历史史记记录录
注:之前版本的页码可能与当前版本有所不同。
Changes from Original (May 2008) to Revision A Page
• 已更改 将
可订购信息
表更改为
器件信息
表............................................................................................................................ 1
• 已添加
添加了应用
部分、
目录
、
修订历史记录
部分、
器件和文档支持
部分和
机械、封装和可订购信息
部分 ..................... 1
1B11A
OE
1B2
SW
SW
2B12A
2B2
SW
SW
3B13A
3B2
SW
SW
4B14A
4B2
SW
SW
S
4
7
9
12
1
15
2
3
5
6
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13
3
SN74CBTLV3257-EP
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ZHCSJO7A –MAY 2008–REVISED MAY 2019
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5 Pin Configuration and Functions
Table 1. Function Table
INPUTS
FUNCTION
OE S
L L A port = B1 port
L H A port = B2 port
H X Disconnect
Figure 1. Logic Diagram (Positive Logic)
A
(OE)
B
4
SN74CBTLV3257-EP
ZHCSJO7A –MAY 2008–REVISED MAY 2019
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Copyright © 2008–2019, Texas Instruments Incorporated
Figure 2. Simplified Schematic, Each FET Switch
(1) Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device. These are stress ratings
only, and functional operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated under Recommended Operating
Conditions is not implied. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.
(2) The input and output negative-voltage ratings may be exceeded if the input and output clamp-current ratings are observed.
(3) The package thermal impedance is calculated in accordance with JESD 51-7.
6 Specifications
6.1 Absolute Maximum Ratings
(1)
over operating free-air temperature range (unless otherwise noted)
MIN MAX UNIT
V
CC
Supply voltage –0.5 4.6 V
V
I
Input voltage
(2)
–0.5 4.6 V
Continuous channel current 128 mA
I
IK
Input clamp current V
IO
< 0 –50 mA
θ
JA
Package thermal impedance PW package
(3)
108 °C/W
T
stg
Storage temperature –65 150 °C
(1) All unused control inputs of the device must be held at V
CC
or GND to ensure proper device operation. Refer to the TI application report,
Implications of Slow or Floating CMOS Inputs.
6.2 Recommended Operating Conditions
(1)
MIN MAX UNIT
V
CC
Supply voltage 2.3 3.6 V
V
IH
High-level control input voltage
V
CC
= 2.3 V to 2.7 V 1.7
V
V
CC
= 2.7 V to 3.6 V 2
V
IL
Low-level control input voltage
V
CC
= 2.3 V to 2.7 V 0.7
V
V
CC
= 2.7 V to 3.6 V 0.8
T
A
Operating free-air temperature –55 125 °C
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