磁控溅射氧化钛薄膜的电学特性研究* (2011年)

采用直流磁控溅射法在K9玻璃上制备了不同溅射温度和氧气流量的氧化钛(TiOx)薄膜。采用XPS、霍尔效应测试仪对薄膜的组份、载流子浓度和迁移率进行了测试，发现随着溅射氧气流量的增大，薄膜中的氧元素比例增大，载流子浓度减小，迁移率增大。分析了TiOx薄膜的电阻温度系数(TCR)与溅射温度和氧分压的关系，薄膜的电阻率从0.01Ω・cm上升到2 Ω・cm时，TCR值从～1.3％上升到-2.14％。同一温度制备的TiOx薄膜随着氧气流量的增大TCR增大；方阻值相同的TiOx薄膜，随着制备温度的提高其TCR增大。