CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响

VIP专享 2020-03-13 00:36:32 725KB PDF
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CdCl2退火热处理对磁控溅射CdTe薄膜性能的影响,霍晓旭,莫晓亮,利用射频磁控溅射方法,以SnO2:F(FTO)为基底制备CdTe薄膜。然后对制备的CdTe薄膜进行湿法CdCl2热处理,退火温度在340 ℃至420 ℃的范围内,�

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