射频反应磁控溅射制备VOx薄膜,李建峰,吴志明,本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响,在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜,制
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