论文研究-反应磁控溅射制备钇掺杂氧化铪薄膜及性能的研究 .pdf

反应磁控溅射制备钇掺杂氧化铪薄膜及性能的研究，戈占伟，张昱，本文研究了在低阻硅衬底上，采用纯铪与纯钇金属靶，氧气为反应气，采用新颖的反应磁控溅射法制备了钇掺杂氧化铪薄膜。并对制得的

直流磁控溅射法制备γ-Al2O3薄膜的介电特性

高密度储能电容器是当前研究的热点,为探究氧化铝薄膜在高密度电容器中潜在的应用,采用直流磁控溅射方法制备了氧化铝薄膜,薄膜质地均匀致密,表面平整光滑。X射线衍射谱分析表明制备的薄膜属于γ晶型的氧化铝。薄

直流磁控溅射制备超导TiN薄膜

直流磁控溅射制备超导TiN薄膜，陈志平，曹春海，在室温下，采用直流磁控溅射在高阻硅上生长了TiN薄膜，分别设定溅射功率、溅射气压以及N2和Ar的气体流量比为单一变量，获得了不同�

论文研究-射频反应磁控溅射制备VOx薄膜 .pdf

射频反应磁控溅射制备VOx薄膜，李建峰，吴志明，本文采用射频反应溅射法制备了VOx薄膜,重点研究了氧分压对薄膜电学性能的影响，在低真空中330 ℃低温退火得到了高性能的VOx 薄膜，制

磁控溅射制备TaN薄膜研究

磁控溅射制备TaN薄膜研究，康杰，，使用磁控反应溅射制备TaN薄膜，研究不同氮分压，工作气压，溅射功率以及基片温度等条件对薄膜的结构和性能影响，得到了薄膜的方阻

磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜

磁控溅射制备纳米厚度的连续银膜，张彦彬，肖井华，利用磁控溅射方法制备了纳米级厚度的银膜，同时使用原子力显微镜和扫描电子显微镜方法对薄膜的微结构进行了测试分析。测试结果表

论文研究 - 衬底温度对射频磁控溅射制备Au / SiO2纳米复合薄膜结构和光学性能的影响

通过磁控管射频（rf）溅射技术在各种沉积条件下生长包含金纳米颗粒的二氧化硅膜。 比较了在400℃衬底温度下沉积的复合膜与在室温下沉积的复合膜的结构和光学性质。 研究了AuNPs的衬底温度对Au / S

论文研究-溅射功率和退火时间对Ca2Si薄膜结构特性的影响 .pdf

溅射功率和退火时间对Ca2Si薄膜结构特性的影响，任雪勇，谢泉，采用射频磁控溅射技术在Si（100）衬底上制备出Ca2Si薄膜，研究了溅射功率和退火时间对薄膜的晶体结构、表面形貌的影响。X-射线衍射（

论文研究-硅基ZnO纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性研究 .pdf

硅基ZnO纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性研究，轩君，刘爱民，为研究硅基ZnO纳米棒阵列薄膜的表面光伏特性，采用籽晶辅助化学水浴沉积法：即先用磁控溅射法在P-Si(100)衬底上制备一层ZnO薄膜作为籽

溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

溅射气压对单靶磁控溅射制备的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，文斌，刘超前，本文基于脉冲直流磁控溅射技术，利用自制单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材于室温下在普通纳钙玻璃上沉积了CZT

脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究

脉冲宽度对高功率脉冲磁控溅射制备纯钛薄膜影响的研究，景凤娟，尹太磊，高功率辉光放电的表面改性方法是一项很有希望应用在工业上的物理气相沉积技术。高功率辉光放电峰值能量和金属离子的密度较高。本

粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究

粉末靶材射频磁控溅射法制备BaSn0.15Ti0.85O3薄膜及其性能研究，肖渊渊，黄玉音，采用粉末靶材射频磁控溅射技术在Pt/SiO2/Si基片上制备了厚度为300 nm的BaSn0.15Ti0.8

溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响

溅射和退火温度对磁控溅射法生长的ZnO薄膜性质的影响，王彬，赵子文，利用磁控溅射法在Al203(001)衬底上生长ZnO薄膜，生长温度分别为500℃、550℃、600℃和650℃。生长后进行了800℃

直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究

直流反应磁控溅射氮化钛薄膜电极的工艺研究，王男，周大雨，采用直流磁控溅射技术在Si（100）基片上制备了不同溅射电流以及不同氩氮比下的氮化钛（TiN）纳米薄膜电极。通过表面台阶测试仪﹑四�

磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管

磁控溅射方法制备In2O3透明薄膜晶体管，张莹莹，王雄，采用磁控溅射方法在玻璃衬底上生长了In2O3晶体薄膜。该薄膜具有（111）晶面择优取向，晶粒尺寸达到33 nm。利用光刻工艺制作了以In2O3晶

反应磁控溅射方法制备BCN薄膜的高温抗氧化性

为了考察BCN薄膜的高温抗氧化,用反应磁控溅射方法在高速钢基体上制备了BCN硬质薄膜材料,用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和显

薄膜瞬态温度传感器的制备及性能研究.pdf

薄膜瞬态温度传感器的制备及性能研究.pdf,针对普通温度传感器存在响应时间长、无法快速测量瞬态温度以及薄膜热电偶引线困难的技术难题，研制了一种响应速度快、测量精度高、引线方便的薄膜瞬态温度传感器。采用

论文研究-多层结构紫外透明导电薄膜的制备及性能研究 .pdf

多层结构紫外透明导电薄膜的制备及性能研究，曹文旭，夏晓川，本文采用射频反应磁控溅射的方法制备了氧化物-银-氧化物紫外透明导电薄膜。其中氧化物薄膜是在氩气与氧气的混合气体中溅射GaAs靶制

基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响

基底温度对一步脉冲直流磁控溅射沉积的Cu2ZnSnS4薄膜结构及性能的影响，刘超前，文斌，磁控溅射单一Cu2ZnSnS4 (CZTS)陶瓷靶材是一种非常具有应用前景的CZTS薄膜制备方法。本文基于自制

射频磁控溅射制备氮化锌薄膜的结构和光学性质

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射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除

射频磁控反应溅射制备Al_2O_3薄膜过程中迟滞效应的消除，赵以德，，反应磁控溅射过程中的迟滞效应是限制它的应用发展的主要问题之一。本文在分析Berg模型的基础上，仿真模拟了Al_2O_3薄膜反应溅射

硅薄膜的制备及光学性能研究

硅薄膜的制备及光学性能研究，马胜利，王利，本文采用磁控溅射技术，通过改变溅射功率制备了系列非晶硅薄膜，并研究了薄膜的光学性能。结果发现，随着溅射功率的提高，硅薄膜

磁控溅射镀膜技术发展

摘 要：磁控溅射由于其显著的优点应用日趋广泛，成为工业镀膜生产中最主要的技术之一，相应的溅 射技术与也取得了进一步的发展。 非平衡磁控溅射改善了沉积室内等离子体的分布，提高了膜层质量；中 频和脉冲磁控

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基于AZO/Ag/AZO导电薄膜的柔性聚合物太阳能电池，张永志，李福山，本文采用磁控溅射的方法在聚对苯二甲酸乙二酯（PET）柔性基板上制备了掺铝氧化锌（AZO）/Ag/AZO多层结构的薄膜，研究AZO

论文研究-晶体取向对NiCo2O4外延薄膜结构及电导特性的影响 .pdf

晶体取向对NiCo2O4外延薄膜结构及电导特性的影响，张如意，刘文龙，利用射频磁控溅射方法在MgAl2O4单晶衬底上分别制备了具有(001)、(011)和(111)取向的NiCo2O4外延薄膜。本文研

磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究

磁控溅射掺铝氧化锌薄膜的Ar气工艺条件研究，宋瑞良，刘玮，磁控溅射掺铝氧化锌（AZO）透明导电膜是大面积太阳能薄膜电池工业化生产的重要工艺手段。实验发现，在不同的Ar气进气方式的溅射过�

基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响

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氢化硅碳薄膜制备及其光电性能研究

氢化硅碳薄膜制备及其光电性能研究，马胜利，张旭东，本文采用电弧增强磁控溅射镀膜(AEMS)技术制备SiCx:H薄膜，采用新颖的独立Si、C平面靶材，通过采用不同的工艺参数得到不同显微结构及光

研究论文-一种三明治结构透明导电薄膜的制备及光电性能.pdf

采用直流磁控溅射法制备了ZAO/Cu/ZAO多层透明导电薄膜，研究了参铝氧化锌(ZAO)薄膜厚度对多层膜晶体结构和光电特性的影响. 用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外?可见光分光光度计及四探针对样品的