多晶硅薄膜

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多晶硅薄膜

: 多晶硅薄膜的制备方法设计 多晶硅薄膜材料同时具有单晶硅材料的高迁移率及非晶硅材料的可大面积、低成本制备的优点。因此，对于多晶硅薄膜材料的研究越来越引起人们的关注，多晶硅薄膜的制备工艺可分为两大类：一类是高温工艺，制备过程中温度...
评级：0 浏览量：70 收藏量：1 资源大小：116KB 上传时间：2020-10-20

: 激光晶化制备多晶硅薄膜技术激光晶化是一种制作晶硅薄膜器件(如薄膜晶体管、太阳能电池)很有效的技术。展望了低温多晶硅薄膜的应用前景，详细介绍了近几年激光晶化制备多晶硅薄膜技术的研究成果，并就激光对非晶硅作用的原理作了简单讨论。
评级：0 浏览量：83 收藏量：0 资源大小：691KB 上传时间：2021-02-11

: 多晶硅薄膜的Ar 利用连续Ar+激光使绝缘层上的多晶硅薄膜再结晶.实验结果表明多晶硅晶粒尺寸显著增大,电学性能大为改善,并且与常规的集成电路工艺相容.
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：1.33MB 上传时间：2021-02-06

: 低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟低价硅衬底上多晶硅薄膜电池的一维数值模拟，宁吉丰，刘艳红，针对N型低价硅衬底上多晶硅薄膜结构电池提出一维计算模型，利用太阳能电池模拟软件AFORS-HET进行模拟，计算了短路电流、开路电压、�
评级：0 浏览量：89 收藏量：0 资源大小：267KB 上传时间：2019-12-29

: 平顶绿光晶化制备多晶硅薄膜 利用倍频Nd∶YAG激光器使玻璃基底上沉积的非晶硅薄膜成功实现了晶化。YAG激光器的倍频绿光经蝇眼透镜阵列整形后得到一光强均匀分布的平顶光束, 并用此光束对非晶硅薄膜进行扫描晶化处理。分别测量了激光晶化前后薄膜...
评级：0 浏览量：70 收藏量：0 资源大小：1.14MB 上传时间：2021-02-10

: 基于微制造的多晶硅薄膜型柔性铰链* (2006年) 将宏机械柔性铰链设计思想应用到硅微机械机构设计中，采用表面硅牺牲层工艺制作了结构层厚度为2μm的多晶硅薄膜型微机械柔性铰链及在线测试机构，对微米尺度柔性铰链的微机械性能进行了理论和试验研究。以直圆型...
评级：0 浏览量：42 收藏量：0 资源大小：86KB 上传时间：2021-05-31

: 太阳能电池片工艺硅片等级分类及标准制造工艺多晶硅薄膜的制备方法单体电池的制造等资料合集（20个）.zip 太阳能电池片工艺硅片等级分类及标准制造工艺多晶硅薄膜的制备方法单体电池的制造等资料合集（20个）： Elkem+Solar+太阳能冶金硅.pdf equipment.pdf RTP_2002.pdf Solar cell 太阳能电池.doc solar+system.pdf ...
评级：0 浏览量：6 收藏量：0 资源大小：9.24MB 上传时间：2024-06-07

: 多晶硅薄膜晶体管晶粒间界的微观带隙能态及电学模型的研究进展 (2011年) 随着多晶硅薄膜晶体管技术的不断提高,其应用也日益广泛,特别是在有源液晶显示器,以及新一代有机发光显示器件等领域的应用极为迅速.对多晶硅薄膜晶体管的电学特性进行完整表征和模型研究,必须建立在准确的晶界带隙能...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：691KB 上传时间：2021-05-12

: 用区熔技术改善多晶硅薄膜颗粒硅带衬底的质量* (2005年) 以颗粒硅带为衬底，通过化学气相沉积法制备多晶硅薄膜作为太阳电池的活性层。为了改善硅带衬底的质量，引入区熔再结晶的方法，期望将其表面平整度及结晶质量进一步提高，进而改善以其为衬底的多晶硅薄膜质量。借助...
评级：0 浏览量：61 收藏量：0 资源大小：65KB 上传时间：2021-06-15

: 区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 (2001年) 在覆盖Sioa的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：475KB 上传时间：2021-05-25

: 铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响* (2011年) 以超白玻璃为衬底，采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜，经自然氧化形成二氧化硅层，最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜，制备了glass/si/siO2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。...
评级：0 浏览量：58 收藏量：0 资源大小：328KB 上传时间：2021-05-09

: 多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势.doc 多晶硅薄膜太阳能电池的研制及发展趋势.doc
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：28KB 上传时间：2021-09-26

: a-Si：H薄膜固相晶化法制备多晶硅薄膜 (2002年) 利用固相晶化法获得多晶硅薄膜（退火温度700～800℃），采用XRD、Raman等分析手段进行了表征与分析，研究结果表明：晶粒平均尺寸随着退火温度的降低、掺杂浓度的减少、薄膜厚度的增加而增加；并且退火后薄膜暗电导率...
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：520KB 上传时间：2021-05-16

: 多晶硅薄膜太阳电池效率影响因素的研究 (2001年) 研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最佳条件。同时改进了制备薄膜太阳电池的若干工艺问题,得到了转换效率为14.08％的太阳电池,其填充因子为0. 808...
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：138KB 上传时间：2021-05-15

: 电子政务-多晶硅薄膜电池片的生产工艺.zip 电子政务-多晶硅薄膜电池片的生产工艺.zip
评级：0 浏览量：28 收藏量：0 资源大小：252KB 上传时间：2021-09-17

: 氦等离子体前处理对多晶硅薄膜性能的影响 (2013年) ECR-PEMS)和电子回旋共振等离子体辅助化学气相沉积(microwave electron cyclotron resonance chemical vapor deposition，ECR-CVD)技术，分别在单晶硅片(100)基底上低温制备了多晶硅薄膜．采用拉曼光谱仪、X射线衍射...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：371KB 上传时间：2021-05-08

: 考虑晶界尾态退化的多晶硅薄膜晶体管在强反演中的偏置漏电流模型长期以来Poly-TFT可靠度一直是一个严重的问题，我们在poly-TFT的热载子效应强反演时应力后排水附近晶粒边界处的尾态的退化。穿越压力时间有关的尾部状态的模型，应力后部的尾部状态及漏电流退化可预测出来。...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：533KB 上传时间：2021-04-01

: 电子政务-一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池.zip 电子政务-一种高转化率多晶硅薄膜太阳能电池.zip
评级：0 浏览量：30 收藏量：0 资源大小：134KB 上传时间：2021-09-16

: 多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模研究与进展本文是研究多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模研究与进展，详细介绍了泄漏电流几种不同的模型。对现当代的进展也进行了重点说明。
评级：0 浏览量：90 收藏量：0 资源大小：406KB 上传时间：2010-03-17

: 音视频-图像处理-非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜.pdf 音视频-图像处理-非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜.pdf
评级：0 浏览量：32 收藏量：0 资源大小：3MB 上传时间：2022-04-16

: 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式 多晶硅薄膜晶体管的简单泄漏电流和1 / f噪声表达式
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：316KB 上传时间：2021-03-07

: 大数据-算法-溅射和退火工艺参数对多晶硅薄膜结构和性能的影响.pdf 大数据-算法
评级：0 浏览量：31 收藏量：0 资源大小：2.81MB 上传时间：2022-04-16

: 考虑深阱和尾阱状态的非晶和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型考虑深阱和尾阱状态的非晶和多晶硅薄膜晶体管在不同温度下的分析漏电流模型
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：668KB 上传时间：2021-03-14

: 铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜 介绍了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的方法，叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：283KB 上传时间：2009-09-02

: 提高薄膜太阳能电池效率的方法降低硅太阳能电池成本的方法之一是尽量减少高质量硅材料的使用量，如薄膜太阳能电池。不过这种太阳能电池的效率只达到了约11-12%。研究人员们正在寻求提升其效率的方法。
评级：0 浏览量：149 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2020-10-21

: 多晶硅的沉积最终的硅薄膜由小的愈合晶体的集合体组成。这种多晶薄膜有粒状结构，它的粒子尺寸取决于沉积条件和接下来的热处理。多晶的粒子boundaries就好像lattice defects，它能为漏电流提供秘密通道。因此，PN结通常不是由...
评级：0 浏览量：263 收藏量：0 资源大小：38KB 上传时间：2020-12-09

: 压阻式加速度计的延生多晶硅薄膜的最新封装英文翻译毕业设计压阻式加速度计的延生多晶硅薄膜的最新封装英文翻译
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评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：5.06MB 上传时间：2021-09-18

: 多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究 (2005年) 用等离子体化学气相沉积(PECVD)法,通过改变[SiH4...研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4：N2]／[NH2]＝4:1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低。
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