区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池 (2001年)

研究了区熔再结晶Q MR)设备及其工艺特点。在覆盖Sioa的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积(RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜,用区熔再结晶法对薄膜进行处理,得到了晶粒致密,且取向一致的多晶硅薄膜层。以此薄膜层为籽晶层,再在上面以RTCVD制备电他活性层,经过标准的太阳电池工艺,得到了转换效率为10.21％,填充因子为0. 691 3的电池产品。