论文研究-硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响 .pdf

硅烷浓度对VHF-PECVD制备过渡区微晶硅薄膜特性的影响，汪文明，杨恢东，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，通过调节硅烷浓度，获得了系列非晶/微晶过渡区薄膜材料，并测试分析了

PECVD制备氢化非晶硅薄膜

PECVD制备氢化非晶硅薄膜的氢含量研究_王祖强.pdf

NIP型非晶硅薄膜太阳能电池的研究.pdf

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构

PECVD沉积氮化硅薄膜应用研究.pdf

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD) ,在单晶硅衬底上生长氮化硅(SiN) 薄膜,再对薄膜进行快速热退火处理,研究了在不同温度下SiN

PECVD SiNx 薄膜应力的研究.pdf

等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子和微机械领域的应用越来越

论文研究- PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善 .pdf

PECVD薄膜颗粒缺陷研究和改善 ，王铁渠，黄其煜，在半导体集成电路制造PECVD工艺中，经常会遇到薄膜颗粒缺陷问题。本论文总结了PECVD 中薄膜颗粒的类型和形成原因以及改善方法。PECVD��

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析.pdf

PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析

PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响

PECVD沉积参数对硅薄膜生长速率的影响，王志辉，强颖怀，高效、稳定、廉价的多晶硅薄膜太阳电池有可能替代非晶硅薄膜太阳电池成为新一代无污染民用太阳能电池。传统等离子体化学汽相沉积

低温PECVD沉积高质量SiO2.pdf

低温PECVD沉积高质量SiO2

低应力PECVD氮化硅薄膜工艺探讨.pdf

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PECVD系统.pdf

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氮化硅薄膜的PECVD沉积工艺与绝缘耐压性能.pdf

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微晶硅薄膜太阳能电池孵化层研究.pdf

微晶硅薄膜太阳能电池孵化层研究

PECVD技术晶体硅太阳电池的最新进展.pdf

2011第六届亚洲太阳能光伏工业论坛上，中科院电工研究所太阳能电池技术研究室主任王文静，《PECVD技术晶体硅太阳电池的最新进展

纳米硅氧薄膜的低温沉积及其光电特性

纳米硅氧薄膜的低温沉积及其光电特性 ，刘海旭，赵静，本文目的在于研究低温下获得高质量纳米硅氧（nc-SiOx:H）薄膜材料的制备条件，采用甚高频等离子体化学气相沉积（VHF-PECVD）技术，以硅

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_.pdf

PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性_英文_

卧式PECVD在太阳能行业的应用.pdf

介绍了一种用于太阳能行业淀积氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积设备．叙述了该设备的结构组成，并重点阐述了工艺原理及关键技

德国Centrotherm_PECVD设备E2000中文说明书.pdf

Centrotherm PECVD系统是管式系统，采用平行式石墨舟和低频（40kHz）激发等离子体放电。在低压和高温的条件下，等离子体在石墨舟

PECVD技术制备光学薄膜的研究进展

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在制备高激光损伤阈值的激光薄膜和渐变折射率结构的光学薄膜方面有独特的优点。通过大量的工艺研究,人们掌握了调控光学薄膜材料折射率和降低消光系数的方法。目前已知薄

p_SiTFT栅绝缘层用SiN_x薄膜界面特性的研究.pdf

以NH3 和SiH4 为反应源气体,在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD) 法在多晶硅(p2Si) 衬底上沉积了SiNx 薄膜。系

PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能

PECVD法制备硅基类金刚石薄膜的摩擦学性能，王学东，王鹏，以N (100) 型的单晶硅片为基体，运用等离子体化学气相淀积台在单晶硅片衬底上沉积了类金刚石薄膜。用纳米压痕仪测定了薄膜的硬度，�

论文研究-增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究 .pdf

增强型GaN MOSFET的制备及其绝缘栅的电荷特性研究，周桂林，张金城，采用ICP干法刻蚀和PECVD沉积技术，制备了增强型Si衬底SiO2 /GaN MOS栅场效应晶体管（MOSFET）。SiO2

PECVD生长氮化硅介质膜的工艺研究.pdf

对PECVD生长氮化硅介质膜的工艺条件进行了实验研究,获得了生长氮化硅介质膜的最佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅质膜.

用脉冲PECVD涂镀柔韧碳氟化合物丝涂层.pdf

用脉冲PECVD涂镀柔韧碳氟化合物丝涂层

VHF—PECVD系统能量馈入模式对薄膜均匀性的影响

为了解决甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备薄膜的非均匀性问题,采用准平面电路模型计算,给出了平板电极间电势的非均匀分布规律。在计算模型中,射频源采用面馈入的模式取代了点馈入的模式

PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p_GaN的影响.pdf

在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO2 和SiNX 掩蔽层过程中， 分解等离子体中浓度较高的H 原子使Mg- 受主钝化， 同时在p

40kHz正弦波高压等离子体电源.pdf

40kHz正弦波高压等离子体电源pdf,文章介绍了一种用于工业设备的等离子体放电电源，给出了主电路、功率稳定电路的设计过程。电源主电路由功率场效应晶体管构成的H桥式电路，串并联混合谐振电路，变压器阻抗

PECVD对硅材料的钝化作用

PECVD对硅材料的钝化作用 太阳能光伏资料

PECVDSiO_2_Si_3N_4双层膜驻极体性能.pdf

本文研究了在带有Cr /Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2 /Si3N4 双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流

化学气相沉积a－Si（非晶硅）

　高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 　a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉