WSix复合栅薄膜工艺开发

VIP专享 2020-12-09 10:46:19 81KB PDF
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(中国电子科技集团公司第58研究所,江苏 无锡 214035)摘 要:本文对CVD WSix制造设备及工艺进行了详细的描述,以大量的实验数据为依据,开发出适合本科研生产线WSix复合栅薄膜的工艺标准。关键词:WSix;“Polycide”复合栅;电阻率;RTP退火中图分类号:TN405 文献标识码:A 文章编号:1681-1070(2005)03-37-041 CVD WSix工艺介绍在存储器电路生产中,特别是在DRAM、FLASH和SRAM器件工艺过程中,通过在多晶硅上淀积WSix,经退火工艺后形成“Polycide”,复合栅结构,降低多晶硅栅的电阻率从而提高器件的速度。工艺流程如图1所示:

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