N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究 (2004年)

选用SIMOX（Separation by Implantation of Oxygen）衬底材料，对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究，开发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺，获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大，且泄漏电流很小，在工作电压为3V时，1.2μm 101级环振的单级延迟仅为50.5ps。