基于SOI的可变电容的特性分析 (2004年)

提出了一种利用二维器件与电路模拟器ISE中的AC分析提取可变电容主要参数的方法 ,利用它对一种基于SOI的三端可变电容 (栅控二极管 )进行了模拟研究 ,并分析了几个主要结构参数对SOI变容管性能的影响。结果显示 ,栅氧厚度、硅膜掺杂、硅膜厚度等结构参数会对SOI变容管的调节范围和灵敏度有直接影响。在模拟中 ,还观察到了当栅氧厚度很薄时 ,多晶硅栅耗尽导致的可调电容的变化范围不规则变化的现象。