异质衬底

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异质衬底

: 异质结太阳电池硅衬底绒面陷光结构的优化将绒面结构的单晶硅衬底应用于异质结太阳电池，可以减少光的反射，增强光吸收的效率，从而提高太阳电池短路电流密度。利用湿法化学腐蚀对单晶硅衬底表面进行制绒，通过优化影响绒面形貌的几个关键参数，包括异丙醇...
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：6.52MB 上传时间：2021-02-05

: SOI材料和功率器件衬底目前，制备SOI材料常用的技术有三种[9]：在蓝宝石衬底上的异质外延技术（SOS）、氧离子注入隔离技术（SMIOS）、硅-硅直接键合技术（SDB）。异质外延工艺是在与硅材料晶格结构相近的绝缘材料蓝宝石上面外延一层单晶硅...
评级：0 浏览量：215 收藏量：0 资源大小：56KB 上传时间：2020-12-09

: 在Si衬底上异质外延GaAs薄膜变激发强度的近红外光致发光通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-02-26

: 光电探测器异质结图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：74KB 上传时间：2021-01-19

: 蓝宝石衬底上AlGaNGaN异质结的制备及性能研究.docx 蓝宝石衬底上AlGaNGaN异质结的制备及性能研究.docx
评级：0 浏览量：25 收藏量：0 资源大小：1.62MB 上传时间：2022-12-15

: AlN/Si(111)复合衬底上4H-SiC薄膜的异质外延利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长, 用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量。...
评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：1.09MB 上传时间：2021-02-10

: 硅衬底对纳米ZnO/p-Si异质结酒精敏感性能的影响 (2012年) 采用射频磁控溅射的方法在不同电阻率的P型硅衬底上沉积氧化锌薄膜，制备了ZnO/p-Si异质结。通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析ZnO薄膜的物相结构和表面形貌。研究室温下不同电阻率的硅衬底对znO/p-Si异质结电流...
评级：0 浏览量：74 收藏量：0 资源大小：331KB 上传时间：2021-05-19

: Si衬底上3C-SiC异质外延应力的消除 (2011年) 利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对 3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理。通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层...
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：384KB 上传时间：2021-05-08

: 纳米-微米复合图形化衬底及其在半导体异质外延上的应用 (2014年) 报道了一种新型的纳米-微米复合的蓝宝石图形化衬底,采用dip-coating的方法在微米级SiO2半球阵列表面静电自组装一层SiO2纳米球,形成了适合纳米范围选择性生长的区域。研究发现,该复合结构的制备过程与后续外延的工艺...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：225KB 上传时间：2021-04-24

: 沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器沟槽衬底砷化镓-铝镓砷双异质结条形激光器
评级：0 浏览量：66 收藏量：0 资源大小：1022KB 上传时间：2021-02-09

: Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响【目的】研究p-Si 衬底掺杂浓度对InGaN/Si 异质单结太阳电池性能的影响，为制备高效太阳电池提供理论基础。【方法】将器件的n-InGaN 掺杂浓度固定为1016 cm-3，在改变p-Si 衬底掺杂浓度NA 的情况下，采用一维光电子...
评级：0 浏览量：93 收藏量：0 资源大小：316KB 上传时间：2021-03-14

: 论文研究-生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性 .pdf 生长在半绝缘衬底上的AlGaN/GaN异质结的生长与特性，梅菲，付秋明，本文研究了用射频等离子体援助分子束外延，生长在蓝宝石衬底上的Al0.30Ga0.70N/GaN异质结。20纳米的Al0.30Ga0.70N阻挡层沉积在2微米的半绝缘
评级：0 浏览量：110 收藏量：0 资源大小：1.04MB 上传时间：2019-08-15

: SiO2 / Si衬底上MoS2 /石墨烯异质结构的光学鉴定 SiO2 / Si衬底上MoS2 /石墨烯异质结构的光学鉴定
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：986KB 上传时间：2021-03-06

: 在SrTiO3衬底上生长的BiFeO3 / La0.7Sr0.3MnO3异质结构的制备和表征本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在SrTiO（100）衬底上制备了BiFeO3 / La0.7Sr0.3MnO3异质结构。在300 K和80 K时获得BiFeO3 / La0.7Sr0.3MnO3异质结构的磁化磁滞回线。该异质结构在室温和80 K下均表现出明显的铁磁...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：756KB 上传时间：2021-03-13

: 异质外延Si/GaN应力状态的拉曼光谱测试分析采用有机金属化学气相沉积方法在单晶硅(111)衬底上生长GaN薄膜,并利用X射线衍射分析确定了GaN主要为以〈0001〉方向取向生长的纤锌矿结构。对样品进行自由和压力荷载状态下的拉曼光谱测试,结果表明,自由状态下,GaN...
评级：0 浏览量：107 收藏量：0 资源大小：2.21MB 上传时间：2021-02-09

: 基于绝缘体上硅衬底的新型SiGe异质结光电晶体管检测器基于绝缘体上硅衬底的新型SiGe异质结光电晶体管检测器
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：3.4MB 上传时间：2021-04-21

: 使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构硅衬底。这项技术的使用允许电子迁移率为2040 cm2 /（Vs）的高迁移率AlGaN / GaN异质结构电荷密度为8.41012cm2。应变松弛和位错演化机制有被调查了。结果表明，低铝含量之间存在较大的晶格失配AlGaN层和AlN缓冲...
评级：0 浏览量：155 收藏量：0 资源大小：1.08MB 上传时间：2021-03-07

: 不同晶格失配衬底上生长的ZnO基双异质结发光二极管电致发光的比较研究在小晶格不匹配的n + -GaN衬底上生长的p-Mg0.05Zn0.95O / i-ZnO / n + -GaN双异质结观察到强烈的紫罗兰色-紫外线EL发射，没有观察到深能级发射。相比之下，在大型晶格不匹配的n + -Si衬底上生长的p-Mg0.05Zn0.95O ...
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：1.43MB 上传时间：2021-04-14

: Diamond（001）衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂 Diamond（001）衬底上立方氮化硼薄膜的异质外延生长及其n型掺杂
评级：0 浏览量：69 收藏量：0 资源大小：658KB 上传时间：2021-04-09

: 在p型硅衬底上用于太阳能电池的AZO / a-Si / c-Si异质结结构的制备在p型硅衬底上用于太阳能电池的AZO / a-Si / c-Si异质结结构的制备
评级：0 浏览量：68 收藏量：0 资源大小：565KB 上传时间：2021-04-23

: 氢流对Si（111）衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响氢流对Si（111）衬底上3C-SiC异质外延层生长的影响
评级：0 浏览量：46 收藏量：0 资源大小：1.53MB 上传时间：2021-03-07

: 通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用通过 MOCVD 在 Si 衬底上异质外延 Lg=0.13-um 变质 AlInAs/GaInAs HEMT 用于逻辑应用
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：4.13MB 上传时间：2021-05-29

: 硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备，孙艳平，刘艳红，首先，在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀，再利用热丝化学气相淀积法（HWCVD）沉积p型非晶硅薄膜，从�
评级：0 浏览量：173 收藏量：0 资源大小：261KB 上传时间：2020-02-28

: 光伏异质结电池报告：HJT 异质结电池在 1997 年实现量产：20 世纪 80-90 年代，日本 Sanyo（目前已被松下收购）首次将...HJT 异质结电池的基本结构：HJT 异质结电池以 N 型单晶硅片为衬底，在经过清洗制绒的 N 型硅片正面依次沉积厚度为 5-10
评级：0 浏览量：159 收藏量：1 资源大小：1.99MB 上传时间：2021-03-22

: 昆明物理研究所分子束外延碲镉汞薄膜技术进展 异质衬底、碲锌镉衬底上MCT薄膜尺寸分别为4英寸(10.16 cm)及2.5 cm×2.5 cm，材料EPD值分别在1×106 cm-2附近及(3~30)×104 cm-2范围，表面宏观缺陷密度分别在30 cm-2附近及100~300 cm-2范围，薄膜质量与国内外先进...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：17.39MB 上传时间：2021-02-21

: 显示/光电技术中的光电探测器异质结图1（a）是一个典型的异质结PIN［13］，P型和N型区域均为InP，本征层In1 ，Ga，As生长在N型InP衬底上。当X=0.47时InGaAs和InP之间晶格匹配，并且窄的禁带宽度能使光谱响应达到1.65 gm。由于InP的禁带较宽（1.34 eV）...
评级：0 浏览量：182 收藏量：0 资源大小：68KB 上传时间：2020-11-14

: 光伏异质结HIT电池：HIT技术渐近相比于传统的太阳能电池，利用非晶硅薄膜与单晶硅衬底异质结结构的 HIT 电池结合了单晶硅与非晶硅电池的优点，主要表现在： 1）效率提升潜力高。HIT 电池采用的 N 型硅片具有较高的少子寿命，非晶硅钝化的对称结构...
评级：0 浏览量：117 收藏量：0 资源大小：2.74MB 上传时间：2021-03-20

: 论文研究-表面极性对ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气形成的影响 .pdf 表面极性对ZnMgO/ZnO异质结中二维电子气形成的影响，李远洁，马博君，利用射频磁控溅射法在c面（0001）蓝宝石单晶衬底上生长了ZnMgO/ZnO异质结结构，通过对生长过程中射频功率及氧气流量的调控，获得了不�
评级：0 浏览量：204 收藏量：0 资源大小：1.29MB 上传时间：2019-08-16

: 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史，重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷...
评级：0 浏览量：138 收藏量：0 资源大小：4MB 上传时间：2021-02-22

: ZnO/P-Si异质结的光电特性研究利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备ZnO/P-Si异质结,研究衬底温度对异质结光电特性的影响。结果表明,在400 ℃,500 ℃,550 ℃和600 ℃下生长ZnO制备的异质结都有一定的整流特性,反向暗电流随着...
评级：0 浏览量：82 收藏量：0 资源大小：2.8MB 上传时间：2021-02-10

: 第三代半导体氮化镓GaN行业报告该斱法可大面积生长丏生长速度高 (可达100µm/h)，可在异质衬底上外延生长数百微米厚的GaN层，仍而减少衬底不外延膜的热失配和晶格失配对外延材料性质的影响。生长后用研磨戒腐蚀法去掉衬底，即可获得GaN单晶片。...
评级：0 浏览量：391 收藏量：0 资源大小：3.18MB 上传时间：2021-03-29

: 纳米硅/单晶硅异质结的电学特性纳米硅/单晶硅异质结的电学特性，周哲，刘爱民，本文主要研究了i nc-Si:H/p c-Si异质结的能带结构和载流子输运特性。采用HWCVD技术在p型单晶硅衬底上分别制备了晶化率为66% 和38%的本征纳�
评级：0 浏览量：114 收藏量：0 资源大小：509KB 上传时间：2019-12-29

: 光伏异质结电池报告：HJT，国产设备降本助推产业化提速高转换效率得益于电池材料和结构：HJT 异质结电池以 N 型单晶硅片为衬底，在经过清洗制绒的 N 型硅片正面依次沉积厚度为 5-10nm 的本征 a-Si:H 薄膜和 P 型掺杂 a-Si:H 薄膜以形成 p-n 异质结，在硅
评级：0 浏览量：135 收藏量：0 资源大小：1.64MB 上传时间：2021-04-02

: 氮化镓单晶生长研究进展受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响，当前的 GaN 基器件主要基于异质衬底( 硅、碳化硅、蓝宝石等) 制作而成，GaN单晶衬底的缺乏已成为制约 GaN 器件发展的瓶颈。近年来，国内外在 GaN 单晶衬底制备方面...
评级：0 浏览量：104 收藏量：0 资源大小：975KB 上传时间：2021-03-09

: 退火对ZnO薄膜晶体结构和ZnO/p-Si异质结光电性质的影响采用脉冲激光沉积方法在p-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,分别在500 ℃、600 ℃和700 ℃下真空退火,采用X射线衍射仪研究了退火对ZnO薄膜晶体结构的影响,并测量了ZnO的面电阻和 ZnO/p-Si异质结的I-V特性曲线。研究表明,...
评级：0 浏览量：119 收藏量：0 资源大小：886KB 上传时间：2021-02-26

: 射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究* (2011年) 利用射频磁控溅射法，在p-si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜，并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明，AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：289KB 上传时间：2021-05-09

: TiO2/p+-Si异质结的电致发光 TiO2/p+-Si异质结的电致发光，章圆圆，马向阳，利用磁控溅射法在重掺硼硅片（p+-Si）衬底上沉积Ti薄膜，然后通过热氧化制备了TiO2薄膜，从而形成TiO2/p+-Si异质结。研究发现，该异质结
评级：0 浏览量：155 收藏量：0 资源大小：624KB 上传时间：2020-02-28

: 基于CuPcC60的混合层异质结光伏器件性能研究根据整数电荷转移模型来分析光伏器件D/A界面及有机材料-ITO衬底界面特性，认为混合层异质结有机光伏器件给体材料HOMO与受体材料LUMO的能级差增加使得器件开路电压提高。混合层异质结有机光伏器件D/A界面面积增加和给...
评级：0 浏览量：56 收藏量：0 资源大小：924KB 上传时间：2021-02-09

: 蓝宝石-氮化镓异质膜系统界面应力的模拟研究对蓝宝石-氮化镓异质膜系统的界面应力进行有限元模拟分析,研究了从生长温度(1373 K)降到室温(300 K)的过程中系统界面应力的分布情况及其影响因素,并通过理论计算验证了所建模型的合理性。模拟结果显示:系统界面应力...
评级：0 浏览量：94 收藏量：0 资源大小：8.5MB 上传时间：2021-01-26

: 基于异质结构的一维光子晶体红外3~5 μm高反射镜设计研究了具有异质结构且适用于3~5 μm红外...为了减少膜层数量，以金属银为衬底，设计了以Si和Y2O3为介质层结构的一维金属增强型光子晶体，其总层数为9层，仿真结果表明：在3~5 μm红外波段，其反射率为98.943%~99.979%。
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：5.76MB 上传时间：2021-01-27

: 室温锰异质结中的光致磁阻增强在室温下，在n-Si衬底上的La（2/3）Ca（1/3）MnO（3）膜中的激光照射下，已发现增强的磁阻（MR）效应。通过在6.4 kOe磁场中照射808 nm CW激光，MR率从0.54％急剧增加到18％。我们的结果对于开发在室温下运行的新型...
评级：0 浏览量：54 收藏量：0 资源大小：986KB 上传时间：2021-02-23

: 通过调制施加电压在ap-Cu2ZnSnS4 / n-GaN异质结光电二极管中的替代光谱光响应使用磁控溅射法将CZTS膜沉积在n-GaN /蓝宝石衬底上。 p-CZTS / n-GaN异质结光电二极管的电流-电压特性显示出良好的整流性能。这光谱响应测量表明，可以通过施加零偏和反向偏压将光电二极管的响应波长从紫外线调谐到...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：376KB 上传时间：2021-03-18

: 应变AIN表面生长动力学 (2015年) AIN半导体通常在异质衬底上外延，生长过程中往往承受较大的晶格失配应力．基于第一性原理，研究了应变 AIN表面生长基元，如Al和N原子以及Al-Nn团簇的微观生长动力学．与非应变AlN比较显示．N原子形成焓有所提升，...
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：488KB 上传时间：2021-06-14

: 取向的TbFeO3 / Nb掺杂的SrTiO3异质结构的制备与表征在（001）掺Nb-1 wt％的SrTiO3（Nb-STO）单晶衬底上外延生长a轴取向的TbFeO3（TFO）薄膜，以构成异质结构。异质结构在25-300 K的温度范围内表现出良好的整流性能，并且随着温度的升高，整流比不断提高。在正偏压...
评级：0 浏览量：504 收藏量：0 资源大小：839KB 上传时间：2021-03-03

: 6H-SiC衬底极性对变化V / III比的HVPE对AlN薄膜形貌和微观结构的影响研究了V / III比变化对衬底极性的影响，研究了异质外延AlN薄膜的生长模式，结构特性和晶体质量。随着V / III比的增加，在Si面6H-SiC衬底上生长的AlN将生长方式从阶梯流转变为3D岛生长，相应地，其表面形貌也变得更...
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：3.8MB 上传时间：2021-04-01

: 硅基氧化锌纳米线异质结构的场发射研究硅基氧化锌纳米线异质结构的场发射研究，许海军，廛宇飞，在无需催化剂条件下，采用热蒸发及气相传输生长技术实现了氧化锌纳米线在硅纳米孔柱阵列（Si-NPA）衬底上的生长，从而构建出ZnO/Si-NA
评级：0 浏览量：263 收藏量：0 资源大小：554KB 上传时间：2020-02-19

: GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究 GaAs/Si（100）和GaAs/Si（100)4º异质外延的比较研究，冯建友，任晓敏，采用金属有机化学汽相沉积法（MOCVD）在Si衬底上外延生长GaAs层，对比了晶向为（100）面无偏角和（100）面向[011]方向偏4º的Si衬底,并�
评级：0 浏览量：85 收藏量：0 资源大小：379KB 上传时间：2020-03-05

: SiGeSi HBT的工艺技术研究.doc SiGe/Si HBT是一种以Si为衬底的新型器件，与传统的双极型晶体管相比，SiGe/Si HBT具有很多优点，包括高电流增益，良好的频率特性和低噪声，能带工程和掺杂工程的引进使得设计更加自由。本论文描述了SiGe/Si HBT的...
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: n-ZnO / p-CuI异质结的制备及能带取向通过在p型γ-CuI（111）上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。使用射频磁控溅射的单晶衬底。通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜，ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的柱状结构。使用X射线光电子能谱仪...
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