异质结电池在 1997 年实现量产：20 世纪 80-90 年代，日本 Sanyo（目前已被松下收购）首次将本征非晶硅薄膜用于非晶硅/晶体硅异质结光伏电池，在 P 型非晶硅和 N 型单晶硅的 p-n 异质结之间插入一层本征非晶硅薄膜（i-a-Si:H），有效降低了晶硅/非晶硅异质结表面的复合速率，同时补偿了本征非晶硅层自身存在的悬挂键缺陷，在硅片表面获得了令人满意的钝化效果，以这一结构为基础的光伏电池随后在 1997 年实现量产，即光伏异质结（HIT/HJT）电池。HJT 异质结电池的基本结构：HJT 异质结电池以 N 型单晶硅片为衬底，在经过清洗制绒的 N 型硅片正面依次沉积厚度为 5-10
