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基于绝缘体上硅衬底的新型SiGe异质结光电晶体管检测器
基于绝缘体上硅衬底的新型SiGe异质结光电晶体管检测器
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基于绝缘体上硅衬底的新型SiGe异质结光电晶体管检测器
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论文研究 - 改进SOI SiGe异质结双极晶体管结构的应变工程设计与仿真。
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为了改善SiGe异质结双极晶体管(HBT)的电学和频率特性,本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比,该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的...
基本结构参数对SiGe异质结光电晶体管响应度和特征频率的影响
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网络技术-系统集成-SiGe异质结晶体管及集成技术研究.pdf
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SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 (2005年)
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对siGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。结果表明,Ge组分为转折点X1/...
SiGe异质结双极晶体管中单事件瞬态(SET)的重离子微束研究
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f_T为13.5GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制 (2001年)
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SiGeSi HBT的工艺技术研究
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基于标准SiGe BiCMOS技术的近红外光电探测器的实现
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基于IBM 7WL标准SiGe BiCMOS技术设计了两个近红外光电探测器:PIN光电探测器和异质结光电晶体管(HPT)。 利用商用设备模拟器ATLAS分析了主要Craft.io参数对其性能的影响。 出带与MPW,每个光检测器的芯片尺寸为50μ...
SiGe HBT 低噪声放大器的设计与制造
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摘 要:该文设计和制作了一款单片集成硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)低噪声放大器(LNA)。由于放大器采用复合型电阻负反馈结构,所以可灵活调整不同反馈电阻,同时获得合适的偏置、良好的端口匹配和低的噪声系数。 ...
元器件应用中的SiGe工艺单片集成光电接收器
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Ge组分对Si1-x Gex HBT反向击穿特性影响的研究 (2011年)
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构建了一个SiGe异质结双极NPN晶体管的物理模型。在分析异质结双极晶体管工作机理的基础上,利用ISE_TCAD软件模拟了Si1-xGex中的Ge组分对器件反向击穿特性的影响。结果表明:在其他参数相同的情况下,增加Ge组分虽可增加...
通信与网络中的锗化硅工艺在高速通信领域的应用
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SiGe/Si HBT是一种以Si为衬底的新型器件,与传统的双极型晶体管相比,SiGe/Si HBT具有很多优点,包括高电流增益,良好的频率特性和低噪声,能带工程和掺杂工程的引进使得设计更加自由。本论文描述了SiGe/Si HBT的...
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为了提高SiGe 异质结双极型晶体管(heterojunction bipolar transistors, HBTs)电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度分布对基区Ge组分分布为矩形分布的SiGe HBT电流增益和特征频率温度敏感性的影响,...
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