SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析 (2005年)

对siGe异质结双极晶体管（HBT）的基区渡越时间进行了计算和分析，考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响，以及大电流密度下产生的感应基区（CIB）的渡越时间。结果表明，Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形一三角形分布时，可得到最小的基区渡越时间；Ge分布对SiGe和si的有效态密度之比的影响很小，但对迁移率的影响较大；基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小。