论文研究 - 改进SOI SiGe异质结双极晶体管结构的应变工程设计与仿真。

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为了改善SiGe异质结双极晶体管(HBT)的电学和频率特性,本文设计了一种新颖的SOI SiGe异质结双极晶体管结构。 与传统的SOI SiGe HBT相比,该器件结构的发射极和集电极区域的窗口宽度更小。 在Si0.85Ge0.15引起的附加单轴应力作用下,集电极区,基极区和发射极区均发生应变,这有利于提高SiGe HBT的性能。 借助SILVACOⓇTCAD工具,数值模拟结果表明,在1062和186 V时分别获得了最大电流增益βmax和Earley电压VA,β与VA的乘积即β×VA为1.975×105当基极中的Ge分量配置为梯形分布时,V和峰值截止频率fT为419 GHz。 与传统的SOI SiGe HBT相比,提出的SOI SiGe HBT架构的截止频率fT改善了52.9%。

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