论文研究-退火对ZnO纳米杆/n -Si异质结I-V 特性的影响 .pdf

退火对ZnO纳米杆/n -Si异质结I-V 特性的影响，黄晖辉，方国家，采用水热法在n型重掺杂的硅片（100）上生长了垂直致密的ZnO纳米杆，并制备了ZnO纳米杆/n -Si异质结。研究了在630℃下不同退火时间对ZnO��

论文研究-ZnO纳米线/p -Si异质结二极管电学特性的研究 .pdf

ZnO纳米线/p -Si异质结二极管电学特性的研究，刘国强，张贺秋，本文利用水溶液法在p -Si片上制备了垂直生长的无掺杂ZnO纳米线阵列，用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。通过I-V和C-V测试对无掺杂ZnO纳�

基于PEDOT:PSS透明导电电极的MoOx/n-Si异质结太阳能电池

基于PEDOT:PSS透明导电电极的MoOx/n-Si异质结太阳能电池 ，孙腾，孙宝全，采用对甲基苯磺酸（PHSA）溶液浸泡的方式处理聚（3，4-乙撑二氧噻吩）：聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）薄膜，改性后的PEDOT:PSS薄膜的电导�

ZnO/P-Si异质结的光电特性研究

利用脉冲激光沉积方法在P-Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,制备ZnO/P-Si异质结,研究衬底温度对异质结光电特性的影响。结果表明,在400 ℃,500 ℃,550 ℃和600 ℃下生长ZnO制备的异质结都有一定的整流特性,反向暗电流随着衬底温度的升高略有增加,在550 ℃下制备的样品具有最明显的光电效应。ZnO/P-Si异质结对可见光和紫外光呈现出不同的响应性。在可见光照射下,光电流随反向偏压急剧增大,偏压增大到某一值时,光电流增速变小,而在紫外光下,光电流有逐渐增大的趋势。根据ZnO的透射谱认为,可见光和紫外光是异质结不同的耗尽区诱导电子空穴对产生光电流的。

论文研究-极化诱导的p-AlxGa1-xN电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管 .pdf

极化诱导的p-AlxGa1-xN电子阻挡层的n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管，张赫之，申人升，本文研究了极化诱导的变组分p-AlxGa1-xN电子阻挡层对于n-ZnO/p-GaN 异质结发光二极管发光性质的影响。与没有电子阻挡层的和带有不变组分�

n-ZnO / p-CuI异质结的制备及能带取向

通过在p型γ-CuI（111）上生长未掺杂的n型ZnO薄膜来制造N-ZnO / P-CuI异质结。 使用射频磁控溅射的单晶衬底。 通过使用X射线衍射和扫描电子显微镜，ZnO膜被识别为具有c轴优选取向的柱状结构。 使用X射线光电子能谱仪对ZnO / CuI界面的能带对准进行测量，得出价带偏移为1.74 eV，导带偏移为-1.37 eV，这意味着该界面处的II型能带对准。 电流-电压曲线的典型二极管行为表明，随着进一步的发展，它在光电学中的可能应用。

以HfO2作为电子阻挡层的n-ZnO / p-Si异质结的发光改善

以HfO2作为电子阻挡层的n-ZnO / p-Si异质结的发光改善

Instagram Filter Demo

基于GPU实现了Instagram App的几十种滤镜（OpenGL ES shader 文件 和 color mapping 文件）

n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结负阻特性研究

n型氧化锌纳米棒/p型金刚石异质结负阻特性研究，桑丹丹，成绍恒，本文利用热蒸发法，在硼掺杂化学气相沉积（CVD）多晶金刚石膜上生长ZnO纳米棒，制备出n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结结构。当金刚石为

ZnO/Cu2O异质结的制备及其光电性能研究

通过两步法制备了由ZnO纳米棒阵列和Cu2O薄膜组成的异质结。首先利用低温湿化学法在掺氟的SnO2导电玻璃(比较FTO)上生长ZnO纳米棒阵列,然后在ZnO纳米棒阵列上通过水热法继续生长Cu2O薄膜,形成ZnO/Cu2O异质结。通过扫描电子显微镜和X射线衍射仪的表征结果得知,ZnO纳米棒阵列具有很好的c轴取向性,其长度为1μm;而Cu2O薄膜的厚度为1.5μm,其(111)面优先沿ZnO的(002)面外延生长。与ZnO纳米棒阵列相比,ZnO/Cu2O异质结在可见光范围内吸收强度明显增强。在模拟太阳光照射下(AM 1.5,100mW/cm2),由ZnO/Cu2O异质结构成的太阳能电池器件的开路电压为0.36V,短路电流密度为7.8mA/cm2,对应的填充因子为31%,光电转换效率为0.86%。

n-ZnO / p-NiO异质结发光二极管的紫外电致发光

n-ZnO / p-NiO异质结的制备方法是：通过射频磁控溅射在c面蓝宝石上沉积p型NiO膜，然后通过等离子体辅助分子束外延在nO膜上生长n型ZnO膜。异质结表现出类似于二极管的整流特性，其开启电压约为3.6 V，并且在施加正向偏压时会发出紫外光。随着注入电流从0.5 mA增加到3.5 mA，UV发射的强度增加，但是UV发射的波长从404 nm减小到387 nm。结果表明，紫外线的发射来自ZnO层中电子和空穴的近带边辐射复合。在本工作中讨论了紫外线电致发光的机理。

具有白光发射特性的n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的制备和改性。

具有白光发射特性的n-ZnO / p-GaN异质结发光二极管的制备和改性。

Realization of room temperature electroluminescence from the heterojunction device with n-ZnO/p-GaN structure

MOCVD技术生长n-ZnO/p-GaN异质结构发光器件室温电注入发光性能研究，杨天鹏，朱惠超，The heterojunction light-emitting diode with n-ZnO/p-GaN structure was grown on (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The heterojun

ZnO不同微结构/Cu4Bi4S9异质结光生电荷分离机制与光电性质

采用不同方法分别制备出ZnO纳米颗粒、纳米线、纳米棒、纳米管等4种微结构薄膜,以Cu4Bi4S9（CBS）纳米带为电子给体制备出ZnO不同微结构/CBS异质结。稳态光电压谱结果表明各异质结构都具有优于单一组分的光伏响应,而且光伏性质呈现出,ZnO纳米管/CBS>ZnO纳米棒/CBS>ZnO纳米线/CBS>ZnO纳米颗粒/CBS的特点。较弱正外电场诱导下各异质结构仍然保持稳态下的光伏响应特性。随着外电场逐步提高,ZnO纳米颗粒/CBS光伏性质增加显著,+2 V电压诱导下,ZnO纳米颗粒/CBS已接近ZnO纳米管/CBS光伏响应强度,并明显高于另外2类异质结构光伏性质。从电子受体微结构、异质结厚度、内建电场、能级匹配等方面,分析了关键因素的综合作用对光生电荷分离和收集效率的影响。

n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析

n型ZnO纳米棒/p型金刚石异质结高温伏安特性及机制分析，桑丹丹，陈怀毅，本文在制备好的n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质结的基础上，对其进行伏安特性测试。主要研究了n型ZnO纳米棒/ p型金刚石异质结整流特性曲�

ZnO(n)/ZnSe(i)/c-Si(p)异质结太阳电池的模拟研究

近年来，HIT(heterojunction with intrinsic thin-layer)结构太阳能电池由于具有转化效率高和可低温生产等优点获得了广泛的关注，但是转化原材料成本高、生产技术条件苛刻和缺陷态控制等问题制约了其进一步的发展。本文采用AFORS-HET软件模拟了ZnO(n)/ZnSe(i)/c-Si(p)异质结太阳电池结构吸收层掺杂浓度、缺陷密度和界面缺陷态密度等参数对该结构短路电流、开路电压、填充因子和光电转换效率的影响。优化后的结果显示，当吸收层掺杂浓度为1×1021 cm-3，ZnO层和c-Si层缺陷密度小于1017 cm-3时，ZnSe/c-Si界面缺陷密度小于1025 cm-3时，该结构太阳能电池光电转换效率可达24.29%。

论文研究-氧化锌/石墨烯异质结构的光电特性 .pdf

氧化锌/石墨烯异质结构的光电特性，温健，符秀丽，摘要：本文利用磁控溅射沉积氧化锌薄膜，湿法转移石墨烯，构筑了一种氧化锌/石墨烯异质结构，并给出了一系列性质的测试结果。通��

p-ZnO：N / n-GaN异质结发光二极管的绿色电致发光

p-ZnO：N / n-GaN异质结发光二极管的绿色电致发光

Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究

Na掺杂p型ZnMgO薄膜制备与p-ZnMgO:Na/n-ZnO p-n结LED原型器件研究，薛雅，叶志镇，采用脉冲激光沉积方法制备出晶体质量较好的Na掺杂p型ZnMgO薄膜，薄膜沿c轴方向柱状生长，p型导电信号可靠。在低阻Ga掺杂(0001)取向的n-Z