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硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备
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2020-02-28
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硅衬底上径向a-Si:H(P)/c-Si(N)异质结的制备,孙艳平,刘艳红,首先,在n/N+外延硅衬底上利用化学刻蚀法完成大面积均一硅纳米线的刻蚀,再利用热丝化学气相淀积法(HWCVD)沉积p型非晶硅薄膜,从�
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