这项工作涉及纳米结构硅衬底上沉积的Pb（Zn1 / 3Nb2 / 3）O3-PbTiO3（PZN-PT）铁电单晶纳米颗粒薄层的纳米结构，微电子特性和畴工程研究。 在这项研究中，已经研究并讨论了由成功沉积在硅基板上的PZN-4.5PT纳米颗粒薄膜制成的器件。 SEM图像显示出局部黑色圆圈和六边形的形成，这可能是由于新的Si凝胶组分的成核或退火引起的相的缘故。 显微X射线荧光图谱显示，高Si和B原子值（分别为7和4归一化单位）可以通过以下事实来解释：衬底是p型硅。 光学测量最有趣的结果是，所有薄膜在UV，Visible和NIR区域的吸收都非常好，UV值为70％至90％，Visible和NIR为75％至93％。 Tauc曲线以不同的片段或吸收变化呈现出特殊性（很少遇到的行为），表明存在着来自薄膜（纳米线，凝胶和纳米颗粒）异质性的多个带隙。 对于DKRN-Gel，其值为1.9和2.8 eV;对于DKRN-UD，其值为2.1和3.1 eV;对于DKRN-D，其值为2.1和3.2 eV）分别对应于纳米线和凝胶的带隙，而最后一个对应于纳米线的带隙。未掺杂和掺杂的纳米粒子（分别为3.1和3.2 eV）
