
5. 内部 FLASH 区别
1) ISP: 擦写时间同 STM32 有差异,使用新版 ISP 软件
2) IAP: 擦写时间相同,按字写入,按页擦除
3) 存储寿命: 10 万次擦写,数据保存 20 年以上
4) 加密特性: 除了常规的禁止读出和 96 位 ID 号码加密之外,GD32 数据写入
Flash 时,具有存储逻辑地址连续,物理地址不连续的特性。
二、 GD32 介绍与兼容性详析
1. 系统
1) 晶振起振区别
描述 启动时间,GD32 与 STM32 启动时间都是 2ms,实际上 GD 的执行效率快,所
以 ST 的 HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)是 2ms,但是这个宏定义值
在 GD 上时间就更加短了,所以要加大这个值的设置
解决方法 将宏定义:
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500)
修改为:
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF)
备注:启动时间宏定义所在位置:
1、在 V3.X 的库,其启动时间宏定义在 stm32f10x.h 头文件中
(路径:\..\Libraries\CMSIS\CM3)。(库版本的不同,所在目录也有所不同)
2 、 在 V3.0 以前的库,其启 动 时 间 宏 定 义 在 stm32f10x_rcc.c 源文件中
(HSEStartUp_TimeOut)
(路径:\..\Libraries\STM32F10x_StdPeriph_Driver\src)。
2) 部分客户使用有源晶振出现问题,在 GD32F103 小容量产品,发现会在 MCU 的复
位管脚一直把电平拉到 0.89V,电平不能保持在高电平
描述 是由于部分有源晶振起振时间太快,复位信号还没有完成导致的
解决方法
就是在有源晶振的输入端与地之前并上一个 30pf 电容
3) GD32 MCU 主频支持 108MHz 高性能,在代码移植方面需要注意事项
描述 GD32 通过芯片内部加大缓存,提高了相同工作频率下的代码执行速度,带来
了高性能的使用体验。
解决方法
因此如果代码有用到 for 循环或 while 循环语句做精确定时的,定时时间会由
于代码执行速度加快而使循环的时间变短。使用 Timer 定时器则没有影响。
4) GD32F105/107 系列 MCU 配置为 108MHz 有何不同
描述 通 过 Clock configuration register (RCC_CFGR) 中 , 第 21 : 18 位 为
PLLMUL[3:0],再结合第 29 位 PLLMUL[4]组成 5 位的位域来确定 PLL 倍频
系数,即通过软件配置来定义 PLL 的倍频系数,且 PLL 输出频率绝对不
得超过最高主频(108MHz)。
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