GD32&STM32异同--2014

在探讨GD32与STM32的异同点时，我们可以从多个维度进行分析。两者的内核存在明显差异。GD32采用了ARM第二代的Cortex-M3内核，而STM32主要使用了第一代的Cortex-M3内核。ARM发布的M3内核勘误表中，GD32使用的内核存在编号为752419的BUG，但只有一个。在中断加载到栈指针时可能会发生错误行为，SVC和Bus Fault/MemMange可能会乱序执行。当LDRD的基址在队列中时，如被中断或失效，可能导致基址寄存器不正确等问题。 主频方面，GD32的性能更为出色。当使用外部高频晶振（HSE）时，GD32可以达到108MHz的主频，而STM32的主频被限制在72MHz。即便是在使用内部高频晶振（HIS）的情况下，GD32依然能够达到108MHz，而STM32的主频不超过64MHz。这对于一些对MCU速度要求高，同时需要降低成本的应用场合，GD32可以作为一个很好的选择。供电差异体现在GD32的外部供电范围为2.6~3.6V，而STM32的范围为2~3.6V。GD32的内核电压为1.2V，STM32则为1.8V。因此，GD32在运行时的功耗更低。 在Flash存储方面，GD32和STM32也存在差异。GD32的Flash执行速度在0等待周期，而STM32的Flash执行速度取决于系统频率和访问等待时间。擦除时间方面，GD32的擦除时间较长。例如，GD32F103/101系列Flash 128KB及以下型号的Page Erase典型值为100ms，实际测量约为60ms。STM32的对应产品Page Erase典型值为20~40ms。GD32的Flash加密技术是物理地址连续，但逻辑地址不连续，这种重组算法可以有效防止硬破解。 功耗方面，在相同主频下，GD32的运行功耗较STM32小，但在停机模式、待机模式、睡眠模式下，GD32的功耗则比STM32要高。 USART通信方面，GD32与STM32存在差异。GD在连续发送数据时，每两个字节之间会有所不同。 除此之外，ADC性能差异、资源差异也是评估这两种MCU的依据。STM32具有更多的资源和ADC性能表现可能会更加优秀。GD32是新近推出的MCU，在未来可能会针对资源、外设和性能等方面进行更多的优化和改进。 从上述分析可以看出，GD32与STM32在技术细节上有很多不同，这些差异对于开发者选择合适的微控制器有着重要的指导意义。考虑到成本、性能、功耗、资源需求等多方面因素，开发者可以更加细致地分析两种产品的特点，从而做出更适合项目需求的选择。