纳米CMOS

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纳米CMOS

: 纳米CMOS电路单元的快速映射 纳米CMOS单元的快速映射，把传统的布尔逻辑映射到不规则的纳米阵列CMOL芯片中
评级：0 浏览量：41 收藏量：0 资源大小：1.46MB 上传时间：2014-05-16

: 纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究_陆智勇.pdf 纳米CMOS器件应变增强沟道迁移率材料的研究_陆智勇.pdf
评级：0 浏览量：38 收藏量：0 资源大小：6.52MB 上传时间：2023-03-09

: 纳米CMOS电路的单粒子瞬态影响因素研究 纳米CMOS电路的单粒子瞬态影响因素研究
评级：0 浏览量：36 收藏量：0 资源大小：781KB 上传时间：2021-02-09

: 基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计.docx 基于TCAD模型仿真的65纳米CMOS标准单元单粒子闩锁效应防护设计.docx
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：2.11MB 上传时间：2022-12-01

: 大数据-算法-纳米CMOS逻辑电路单粒子脉冲窄化效应研究.pdf 大数据-算法
评级：0 浏览量：18 收藏量：0 资源大小：3.86MB 上传时间：2022-04-17

: 纳米CMOS逻辑电路中的变窄效应后的单事件脉冲展宽 纳米CMOS逻辑电路中的变窄效应后的单事件脉冲展宽
评级：0 浏览量：63 收藏量：0 资源大小：1.25MB 上传时间：2021-04-08

: 低能质子辐射下纳米CMOS SRAM中反冲离子诱导的单事件翻转低能质子辐射下纳米CMOS SRAM中反冲离子诱导的单事件翻转
评级：0 浏览量：35 收藏量：0 资源大小：1.54MB 上传时间：2021-03-07

: 意法半导体（ST）通过CMP为业界提供28纳米CMOS制程.pdf 意法半导体（ST）通过CMP为业界提供28纳米CMOS制程.pdf
评级：0 浏览量：52 收藏量：0 资源大小：65KB 上传时间：2021-08-29

: CMOS 图像传感器简介摘要：本文介绍了CMOS图像传感器的工作原理和性能指标，指出了CMOS图像传感器的技术问题和解决途径，综述了CMOS图像传感器的现状和发展趋势。
评级：0 浏览量：623 收藏量：0 资源大小：526KB 上传时间：2021-01-11

: Impinj欲推65纳米NVM 将内存整合到CMOS工艺中非易失性内存(NVM)知识产权与... Morrell把这种内存归入他称之为“logic-NVM”的产品类别，因为这种内存能够整合到CMOS逻辑工艺之中，不需要额外的工艺步骤。Morrell表示，许多内存技术在该领域进行竞争，但提供多次可
评级：0 浏览量：76 收藏量：0 资源大小：42KB 上传时间：2020-12-03

: 高性能免掺杂碳纳米管基CMOS器件和集成电路高性能免掺杂碳纳米管基CMOS器件和集成电路
评级：0 浏览量：64 收藏量：0 资源大小：1.48MB 上传时间：2021-02-24

: 论文研究 - 后CMOS纳米技术多数/少数逻辑电路合成方法的比较研究量子点蜂窝自动（QCA），单电子隧穿（SET），隧穿相位逻辑（TPL），自旋电子器件等是被认为可以替代CMOS的一些纳米技术。在这些纳米技术中，用于实现电路的基本逻辑单元是多数和/或少数门。已经提出了几种多数/...
评级：0 浏览量：98 收藏量：0 资源大小：1.84MB 上传时间：2020-06-01

: leakage-in-nanometer-cmos-technologies-2006.pdf 纳米CMOS管漏电流研究
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：26.53MB 上传时间：2021-10-15

: 论文研究-CMOS图像传感器后段先进工艺制程 .pdf CMOS图像传感器后段先进工艺制程，范洋洋，，本文研究基于55纳米CMOS制造工艺发展出来的CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)的生产工艺，对后段工艺进行了优化改良以提高成像效果。��
评级：0 浏览量：559 收藏量：2 资源大小：620KB 上传时间：2019-08-14

: 纳米高k栅CMOS器件的总剂量效应及加固技术研究.zip 纳米高k栅CMOS器件的总剂量效应及加固技术研究.zip
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: 基于CMOS的碳纳米管传输晶体管逻辑集成电路基于CMOS的碳纳米管传输晶体管逻辑集成电路
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: 低功耗CMOS电路设计在工艺器件方面，描述了低功耗电子学的历史、深亚微米体硅SOI技术的进展、CMOS纳米工艺中的漏电、纳米电子学与未来发展趋势、以及光互连技术；在低功耗电路方面，描述了深亚微米设计建模、低功耗标准单元、高速低...
评级：0 浏览量：444 收藏量：2 资源大小：34.06MB 上传时间：2018-11-20

: 富士通针对PA开发CMOS逻辑高压电芯片　富士通所开发的这款45纳米CMOS电晶体，能支援10V功率输出，让电晶体能因应各种高输出规格，满足WiMAX与其他高频应用*率放大器的规格需求。此外，该新技术并实现了在同一晶粒(die)中藉由CMOS逻辑控制电路，达到单...
评级：0 浏览量：136 收藏量：0 资源大小：48KB 上传时间：2020-11-09

: 论文研究-基于IBM90纳米工艺的晶体管模型研究 .pdf 基于IBM90纳米工艺的晶体管模型研究，陈燊林，，随着高频无线通讯市场快速发展，高性能低成本的射频设计方案的需求也在增长，MOSFET的模型对CMOS RFIC设计极为重要。由于寄生参数偏置
评级：0 浏览量：131 收藏量：0 资源大小：590KB 上传时间：2019-08-23

: 联华电子与意法半导体携手开发65纳米BSI CMOS影像传感器制程.pdf 联华电子与意法半导体携手开发65纳米BSI CMOS影像传感器制程.pdf
评级：0 浏览量：72 收藏量：0 资源大小：343KB 上传时间：2021-08-29

: 通信与网络中的英飞凌宣布推出先进的65纳米手机芯片英飞凌科技股份公司宣布推出第一批采用其先进的65纳米CMOS工艺生产的手机芯片。在德国杜伊斯堡、慕尼黑和印度班加罗尔进行的复杂测试表明，该芯片从始至终运行良好。采用该芯片的手机能顺利拨入各GSM网络并实现无...
评级：0 浏览量：79 收藏量：0 资源大小：47KB 上传时间：2020-11-29

: PCB技术中的硅基的量子器件和纳米器件前者理论是清楚的，但从器件发展到电路，所需的技术仍处于发展之中，要进入到比较普遍的应用估计仍需一二十年的时间。...原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序（2004年1月科学出版社出版）。
评级：0 浏览量：81 收藏量：0 资源大小：29KB 上传时间：2020-12-09

: 通信与网络中的Broadcom推出65纳米Bluetooth 2.1+EDR手机单芯片解决方案这款最新的单芯片系统（SoC）解决方案以先进的65纳米CMOS制造工艺设计，针对移动电话的应用。它具备Broadcom公司独特的SmartAudio语音和音频增强技术，该技术以前只适用于无线耳机。而现在，手机制造商可利用它来...
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: 用于纳米级CMOS技术的可自我恢复，具有频率意识且具有成本效益的稳健锁存器设计用于纳米级CMOS技术的可自我恢复，具有频率意识且具有成本效益的稳健锁存器设计
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: 使用基于硅纳米晶体的水平缝隙波导的CMOS兼容2位光谱量化方案使用基于硅纳米晶体的水平缝隙波导的CMOS兼容2位光谱量化方案
评级：0 浏览量：26 收藏量：0 资源大小：1.29MB 上传时间：2021-03-07

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: CMOS兼容的硅纳米线阵列对患者血清中肺癌生物标志物的多重检测 CMOS兼容的硅纳米线阵列对患者血清中肺癌生物标志物的多重检测
评级：0 浏览量：23 收藏量：0 资源大小：647KB 上传时间：2021-03-15

: 基于CuPc单晶纳米线的CMOS兼容的具有功函数调制层的OFET分子气体传感器的研究。基于CuPc单晶纳米线的CMOS兼容的具有功函数调制层的OFET分子气体传感器的研究。
评级：0 浏览量：77 收藏量：0 资源大小：503KB 上传时间：2021-03-04

: 基于电荷泵改进型CMOS模拟开关电路当前VLSI 技术不断向深亚微米及纳米级发展，模拟开关是模拟电路中的一个十分重要的原件，由于其较低的导通电阻，的开关特性以及微小封装的特性，受到人们的广泛关注。模拟开关导通电阻的大小直接影响开关的性能，低...
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: CMOS兼容的GE-SIO2核壳纳米线，可无标签，高度灵敏地检测癌症生物标记物 CMOS兼容的GE-SIO2核壳纳米线，可无标签，高度灵敏地检测癌症生物标记物
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: TI创新芯片材料技术突破漏电问题领跑45纳米乃至更高工艺技术日前，德州仪器 (TI) 宣布计划在其最先进的高性能 45 纳米芯片产品的晶体管中采用高 k 材料。...　近十年来，TI 一直致力于技术研发的前沿领域，高 k 技术将不断推动数字 CMOS 缩放技术发展，成功实现向尺
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: 完全集成的860 GHz CMOS太赫兹传感器该传感器在180纳米标准CMOSCraft.io中集成了太赫兹检测器和读出电路。读出电路由一个低噪声仪表放大器和一个高分辨率ΔΣ-ADC组成。使用传感器可以实现无源调制的透射成像（无需锁定技术）。该探测器由新颖的片...
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: 纳米MOSFET沟道中随机掺杂剂引起的漏极诱导势垒降低变化的分析和建模在用于纳米金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的集成器件和电路设计中，漏极引起的势垒降低（DIBL）变化是一项重大挑战。... 提出的统计建模方法为纳米CMOS电路的Craft.io变化感知设计提供了新的视角。
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: 用于高性能CMOS晶体管的高K-金属栅极英特尔公司为了将研制成功的高-k栅介质+金属栅极晶体管应用于微处理器芯片的规模量产，做到集成到45纳米CMOS制程中达到高性能整体的低漏电满足高可靠性要求工艺可量产和精确拷贝。
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: 元器件应用中的提高功率CMOS器件功效可用MOSFET方案然而，在深层纳米尺寸满足对漏电和性能的需要却迅速地把传统的晶体管逼入困境。　要使性能得到继续的升级，人们正在采用新型材料和结构来改善传统的CMOS工艺。在超过32nm及以上的技术上，面对着功率性能前所未有的...
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: 高灵敏度硅纳米线光电晶体管在这项工作中，我们演示了使用CMOS兼容Craft.io在绝缘体上硅（SOI）衬底上的新型平面SiNW双极型光电晶体管。通过电子束（电子束）光刻对纳米线进行构图，然后进行金属蒸发，然后通过电感耦合等离子体React离子刻蚀...
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: 瑞萨开发出实现32纳米工艺片上SOI SRAM的前瞻技术瑞萨科技（Renesas ）宣布，开发出一种可在32 nm（纳米）及以上工艺有效实现SRAM的技术，以用于集成在微处理器或SoC（系统级芯片）中的片上SRAM。新开发的技术采用SOI（绝缘硅）技术，可独立控制基体电位，也就是...
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: NEC电子开发出40纳米DRAM混载系统LSI 混载工艺技术 NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子...
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: 运用互补性显微术在尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品，对完全掌握一...　在超大规模集成电路上的纳米级晶体管中，特别是外观尺寸不断缩小的互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件，掺杂物质的原子空间分布是一大难
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: 电源技术中的Avago推出65nm CMOS工艺性能可达17Gbps的SerDes Avago宣布已经在65纳米(nm) CMOS工艺技术上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能输出。持续其在嵌入式SerDes技术的领导地位，Avago最新一代的工艺技术能够节省高达25%的功耗和空间。拥有接近4,500万通道数的SerDes...
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: 纳米FinFET器件的单粒子效应研究(英文) Fin FET器件比主流CMOS技术表现出更多优势,如快速、高集成度、低功耗、多功能性和强扩展性,基于ISE TCAD,考虑迁移率、量子效应、载流子重组、辐射效应等的影响,建立了一种纳米Fin FET器件SEE的3D仿真模型。...
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: 用非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效三十多年来，本本体硅(bulk silicon)MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存，是一件多么美妙的事情！越来越多的...
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: 非传统MOSFET方案提高功率CMOS器件功效的方法三十多年来，本体硅（bulk silicon）MSOFET工艺一直是晶体管器件所采用的主要CMOS工艺。我们非常热衷于从缩小晶体管来提高密度和性能。在相同的成本上具有更快的速度、更大的内存，是一件多么美妙的事情！越来越多的...
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: 单壁碳纳米管无线瓦斯浓度传感器设计研究针对物联网远程监测煤矿井下瓦斯浓度,提出基于功能化碳纳米管(Functionalized CNTs)的钯负载型单壁碳纳米管(Pd-SWCNTs)的瓦斯浓度传感器解决方案。传感器整体呈可弯折薄片状,集成有天线、T型阻抗匹配网络、CMOS射频/...
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: 纳米尺度超低漏电ESD电源钳位电路研究提出一种新型超低漏电ESD电源钳位电路。该电路采用具有反馈回路的ESD瞬态检测电路,能够减小MOS...65 nm CMOS工艺仿真结果表明,在电路正常上电时,泄漏电流只有24.13 nA,比传统ESD电源钳位电路的5.42μA降低两个数量级。
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: CMOS基成像色亮度计全球市场深度分析：规模、驱动因素、阻碍因素与发展机遇.pdf 横跨如半导体产业链（半导体设备及零部件、半导体材料、集成电路、制造、...纳米材料等）、机械制造产业链（数控机床、工程机械、电气机械、3C自动化、工业机器人、激光、工控、无人机）、食品药品、医疗器械、农业等...
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: 工业电子中的运用互补性显微术在终极尺度上三维重构并分析同一个纳米级样品运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品，对完全掌握一...　在超大规模集成电路上的纳米级晶体管中，特别是外观尺寸不断缩小的互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件，掺杂物质的原子空间分布是一大难
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