论文研究-基于IBM90纳米工艺的晶体管模型研究 .pdf

基于IBM90纳米工艺的晶体管模型研究，陈燊林，，随着高频无线通讯市场快速发展，高性能低成本的射频设计方案的需求也在增长，MOSFET的模型对CMOS RFIC设计极为重要。由于寄生参数偏置