运用两种不同的纳米尺度或原子尺度测量分析方法分析同一个样品，对完全掌握一种材料或产品的属性至关重要，这种优势互补的分析方法特别适用于测定MOSFET、FINFET等新一代纳米级晶体管的掺杂分布情况。本文综合电子断层扫描技术(ET)与原子探针层析技术(APT)两种表征方法，研究纳米级晶体管中硼原子空间分布特征。本文采用电子断层扫描技术，结合原子级分辨率离子弹道仿真实验，以修正原子探针层析技术的三维重构图像失真。APT三维重构技术能够对样品器件进行详细的化学分析。 在超大规模集成电路上的纳米级晶体管中，特别是外观尺寸不断缩小的互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件，掺杂物质的原子空间分布是一大难
