leakage-in-nanometer-cmos-technologies-2006.pdf

"纳米CMOS漏电研究" 纳米CMOS技术是当今半导体工业的主流技术之一，但随着CMOS技术的发展和纳米化，漏电流问题日益严重。漏电流是CMOS电路中的一个主要关注点，因为它会导致电路的功耗增加和可靠性下降。 漏电流是指在CMOS电路中的漏电流，包括gate leakage、subthreshold leakage和junction leakage等。这些漏电流会导致电路的功耗增加，降低电路的可靠性和寿命。 纳米CMOS技术中的漏电流问题可以通过多种方法来解决，例如，通过减少gate oxide的厚度，使用低泄电材料，优化电路的设计等。同时，漏电流也可以通过增加电路的供应电压，降低电路的工作频率等方法来减少。 本书《LEAKAGE IN NANOMETER CMOS TECHNOLOGIES》深入浅出地探讨了纳米CMOS技术中的漏电流问题，并介绍了一些常见的漏电流机制和解决方法。书中还讨论了漏电流对电路的影响，以及如何通过设计和技术创新来减少漏电流的影响。 书中的一些主要内容包括： * 漏电流的机制和类型 * 漏电流对电路的影响 * 漏电流的解决方法 * 低泄电材料和技术 * 优化电路设计以减少漏电流 本书是纳米CMOS技术和漏电流研究领域的经典作品，对于从事CMOS电路设计和研究的人员具有非常重要的参考价值。 在本书中，作者Siva G. Narendra和Anantha Chandrakasan详细介绍了纳米CMOS技术中的漏电流问题，并提供了一些实用的解决方法和技术创新。他们通过大量的实验和模拟结果，展示了漏电流对电路的影响，以及如何通过设计和技术创新来减少漏电流的影响。 《LEAKAGE IN NANOMETER CMOS TECHNOLOGIES》是一本非常有价值的参考书，对于了解纳米CMOS技术和漏电流问题的人员具有非常重要的参考价值。