离子刻蚀

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离子刻蚀

: 反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究 (2012年) 为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构，研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板，以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜（LSCM）及原子力显微...
评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：332KB 上传时间：2021-04-23

: 反应离子刻蚀的计算机仿真.pptx 反应离子刻蚀的计算机仿真.pptx
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: 高亮度LED等离子刻蚀技术每个HBLED制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要...优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并降低制造成本，从而实现双重赢利。
评级：0 浏览量：92 收藏量：0 资源大小：75KB 上传时间：2020-08-09

: 无驱动结构硅微机械陀螺芯片的离子刻蚀技术利用等离子体刻蚀理论和实验相结合的方法,实现了离子刻蚀无驱动结构硅微机械陀螺芯片技术。实验表明:离子刻蚀55μm硅的均匀性U=0.63%,选择比P=90∶1,刻蚀速率V=7.25μm/min,侧壁垂直度为90°±1°。应用该技术刻蚀出...
评级：0 浏览量：53 收藏量：0 资源大小：580KB 上传时间：2021-02-25

: 结合实际刻蚀数据的离子刻蚀产额优化建模方法? (2014年) 但现有的刻蚀表面演化模型不够精确, 且目前离子刻蚀产额模型主要来自分子动力学仿真和物理实验, 而实际加工过程十分复杂,等效的离子刻蚀产额包含很多因素. 针对这些问题, 首先对当前的刻蚀表面演化模型进行改进, ...
评级：0 浏览量：37 收藏量：0 资源大小：532KB 上传时间：2021-05-19

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: 氮化硅的反应离子刻蚀研究 (2009年) 采用CHF3、CHF3+cF4和CHF3+O2三种不同气体体系作氮化硅的反应离子刻蚀(RIE)实验，研究了不同刻蚀气体对刻蚀速率、均匀性和对光刻胶的选择比三个刻蚀参数的影响。通过优化气体配比，比较刻蚀结果，最终获得了刻蚀速率...
评级：0 浏览量：78 收藏量：0 资源大小：282KB 上传时间：2021-05-10

: 晶体硅等离子刻蚀技术.pdf 晶体硅等离子刻蚀技术
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: 反应离子刻蚀制备的多晶黑硅损伤去除与钝化性能研究结合SiO2纳米球掩模和反应离子刻蚀技术制备了结构呈周期性排列的多晶黑硅，利用低浓度的NaOH溶液去除由荷能离子撞击所带来的损伤层，优化了多晶黑硅结构。在多晶黑硅上用原子层沉积技术沉积一层Al2O3薄膜，并对样品...
评级：0 浏览量：86 收藏量：0 资源大小：4.38MB 上传时间：2021-02-07

: 详解制备高亮度LED的等离子刻蚀技术每个HBLED制造商的目标都是花更少的钱获得更多的光输出。面对强大的竞争和众多技术障碍，至关重要的是所有的生产步骤的推进都要...优化的等离子刻蚀提供了几种方法以改善器件的输出并降低制造成本，从而实现双重赢利。
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: React离子刻蚀React室气流模拟研究 React离子刻蚀React室气流模拟研究
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: 微波等离子刻蚀CVD金刚石膜提高机械研磨效率 (2005年) 针对低温低压化学气相沉积(CVD)金刚石膜表面粗糙且厚薄不均,普通的方法抛光金刚石膜效率低的现象,采用空气等离子刻蚀金刚石膜与机械研磨相结合的抛光工艺,提高了金刚石膜的抛光加工效率。并与纯机械研磨法比较,通过...
评级：0 浏览量：60 收藏量：0 资源大小：1.21MB 上传时间：2021-06-01

: 两室型离子刻蚀微调机运行流程示意图-测试(含部分源码) 本程序用于测试两室型离子刻蚀微调机的运行流程示意图。该运行流程示意图的程序封装为一个DLL，测试程序在运行时会自动注册该DLL。注意：测试时也需要按照真实操作流程顺序来测，否则，流程示意图可能无效果或...
评级：0 浏览量：164 收藏量：0 资源大小：94KB 上传时间：2013-04-10

: MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真 MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化
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: 硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究硅介质材料的等离子刻蚀选择比研究，刘珂，陈国动，本文研究了一种基于电感耦合型高密度等离子体刻蚀设备的硅介质材料刻蚀工艺，刻蚀气体使用CHF3、CH2F2和O2的混合气体。实验数据表明�
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: 制备高亮度 LED的等离子刻蚀技术.pdf 现在蓝宝石仍是生长HBLED结构的衬底选择。不过，采用蓝宝石生长也存在两个问题：蓝宝石没有完美的晶格匹配，光提取会因为有两个
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: 用反应离子刻蚀技术制作Ge菲涅尔微透镜列阵 (1998年) 研究了用反应离子刻蚀技术制作Ge材料微透镜列阵的工艺过程及影响透镜列阵质量的因素，总结出“小功率、中气流、掺氧气”的优化工艺特点，制作出衍射效率高于85％的八台阶Ge材料菲涅尔微透镜列阵．
评级：0 浏览量：34 收藏量：0 资源大小：178KB 上传时间：2021-04-26

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评级：0 浏览量：50 收藏量：0 资源大小：828KB 上传时间：2021-07-26

: 锗衬底上反应离子刻蚀制备宽波段红外增透结构的工艺及性能研究 (2009年) 研究了利用反应离子刻蚀技术在Ge衬底上制备宽波段抗反射亚波长结构时工艺参数对刻蚀速率及刻蚀选择比的影响。利用场发射扫描电镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)对刻蚀图形的表面形貌进行了观察。利用傅里叶变换红外光谱仪...
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: 通过感应耦合等离子体React离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED 通过感应耦合等离子体React离子刻蚀制造具有22°底切侧壁的GaN基LED
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: 通过微/纳米球光刻和等离子刻蚀技术制作的具有强大超疏水性的生物启发式罗纹发阵列通过微/纳米球光刻和等离子刻蚀技术制作的具有强大超疏水性的生物启发式罗纹发阵列
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: 提高离子束刻蚀亚微米光栅侧壁陡直度的方法通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大...
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: 铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀铜离子注入铌酸锂的离子束增强刻蚀，王磊，项炳锡，采用MeV铜离子注入的方法注入铌酸锂单晶样品，研究了铜离子注入铌酸锂的增强刻蚀特性。利用湿法刻蚀、金相显微镜、扫描电子显微镜
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: 论文研究-55nm APF 接触孔刻蚀特征尺寸缩减遇到的挑战 .pdf 55nm APF 接触孔刻蚀特征尺寸缩减遇到的挑战，王庆，程秀兰，半导体制造进入65nm及以下节点之后，接触孔刻蚀工艺中通常引入APF作为硬掩模（Hard Mask）进行接触孔刻蚀来解决单层光阻刻蚀中孔壁不��
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: 光学材料的干法刻蚀研究摘要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的...
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: 微透镜列阵的离子束刻蚀及衍射效率测量采用Kaufman离子刻蚀微透镜列阵并采用实时检测系统对刻蚀深度进行了控制.提出了测量微透镜列阵衍射效率的一种方法,对测量误差进行了讨论.
评级：0 浏览量：43 收藏量：0 资源大小：519KB 上传时间：2021-02-11

: 催化剂刻蚀方式对碳纳米管形貌的影响 (2013年) 采用等离子体增强化学气相沉积技术，以C2H2、H2和N2为反应气体，制备出碳...结果表明，催化剂刻蚀方式对碳纳米管薄膜的生长起着重要作用，获得定向性好、密度适中、杂质缺陷少的碳纳米管的最合适的刻蚀方式为热刻蚀．
评级：0 浏览量：48 收藏量：0 资源大小：350KB 上传时间：2021-05-06

: 离子注入SiO 本文用卢瑟福背散射和光吸收技术研究了高剂量Ag离子注入SiO_2玻璃以及退火后的状况.吸收光谱测量表明,注入的Ag离子聚集形成了胶态粒子,其等离子共振峰的极大值在400nm处.运用米(Mie)理论和德拜(Doyle)方法,根据测得...
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: 掺镁铌酸锂晶体的ICP刻蚀性能采用牛津仪器公司的Plasmalab System 100以SF6/Ar为刻蚀气体，具体研究MgLiNbO3的刻蚀速率随着感应耦合等离子体(ICP)功率、反应离子刻蚀(RIE)功率、气室压强和气体流量配比等刻蚀参数的变化，同时研究发现SF6/(Ar+...
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: 离子束刻蚀固体表面貌相变化的特征曲线及计算机模拟 (1993年) 本文导出了离子束刻蚀固体表面貌相变化的特征曲线方程,利用微机对球形靶表面貌相变化进行了模拟.其结果和实验基本一致,但圆锥底角为θ_,即是对应于刻蚀速率v(θ)为极值的角度.并从理论上给了初步说明.
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: 图形刻蚀技术 (Etching Technology) 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。湿法刻蚀是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的...
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: 常见湿法蚀刻技术反应离子刻蚀(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等离子体刻蚀(HDP)。这些工艺都具有各向异性刻蚀和选择性刻蚀的特点。反应离子刻蚀通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子...
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: 微加工中一种新型刻蚀深度实时检测系统实现了一种新型刻蚀深度实时检测系统,整个系统对温度漂移,气体流动与外界振动等环境因素极不敏感,系统测量误差小于0.98%,实现了在真空环境下刻蚀深度的实时监视与检测,对二元光学微加工具有现实意义。
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